Введение
1. Состояние вопроса и постановка задачи 12
1.1. Редкоземельные полупроводники, зонная структура, основные свойства, фазовый переход полупроводник-металл 12
1.2. Методы получения халькогенидов лантаноидов; кристаллическая структура, фазовый состав пленок; химические методы получения пленок полупроводниковых соединений и перспективы использования их для получения пленок SmS 25
1.3. Электрофизические параметры, тензорезистивный эффект в пленках моносульфида самария 34
1.4. Обобщенные подходы к решению задачи электропроводности и расчету физических параметров полупроводников 46
1.5. Выводы 53
2. Разработка методов получения пленок моносульфида самария 39
2.1. Выбор исходных веществ 39
2.2. Синтез dtc-комплексов Sm и исследование их свойств 42
2.3. Исследование условий осаждения и свойств пленок сульфидов самария, полученных из dtc-комплексов 62
2.4. Кристаллическая структура и морфология поверхности пленок 68
2.5. Выводы 80
3. Исследование электрофизических характеристик пленок моносульфида самария 84
3.1. Методика исследования 84
3.2. Рекомбинационные параметры полупроводниковых пленок моносульфида самария 88
3.3. Параметры полупроводниковых пленок моносульфида самария при сверхвысоких уровнях инжекции 94
3.4. Выводы 108
4. Разработка структур на основе пленок моносульфида самария как рабочего тела тензодатчиков 110
4.1. Лазерная обработка пленок моносульфида самария 110
4.2. Разработка омического контакта к пленкам моносульфида самария 114
4.3. Разработка инжектирующего контакта к пленкам моносульфида самария 124
4.4. Основные свойства тензорезистивных пленок на основе моносульфида самария 130
4.5. Разработка тензочувствительных структур на основе полупроводниковых пленок моносульфида самария 137
4.6. Выводы 142
Заключение 144
