Разработка и исследование двухбарьерных джозефсоновских переходов и их применение в сверхпроводниковой электронике

Балашов Дмитрий Вячеславович. Разработка и исследование двухбарьерных джозефсоновских переходов и их применение в сверхпроводниковой электронике : Дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.01 : Москва, 2003 107 c. РГБ ОД, 61:04-1/609
Автор
Балашов Дмитрий Вячеславович
Год
2003
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
1. Основные соотношения в сверхпроводниковой электронике
1.1. Эффект Джозефсона и RCSJ модель 8
1.2. Классификация слабых связей 14
1.3. Основные соотношения микроскопической теории двухбарьерных джозефсоновских переходов 16
1.4. Параметры джозефсоновских переходов в различных технологиях 21
2. Технологический цикл изготовления сверхпроводниковых цифровых БОК схем и экспериментальная измерительная система
2.1. СИС технология изготовления джозефсоновских туннельных 25 переходов с внешним шунтирующим резистором
2.2. СИНИС технология изготовления двухбарьерных джозефсоновских туннельных переходов
2.2.1. Технологические требования 28
2.2.2. Основные технологические процедуры 29
2.2.3. Последовательность технологических опрераций при изготовлении цифровых БОК схем на основе СИНИС переходов 33
2.3. Установка экспериментального тестирования микрочипов 39
3. Электрофизические свойства двухбарьерных джозефсоновских СИНИС переходов
3.1. Одиночные СИНИС контакты
3.1.1. Вольт-амперные характеристики 43
3.1.2. Зависимость плотности критического тока и характерного напряжения контактов от параметров окисления туннельных барьеров 45
3.1.3. Величина гистерезиса на В АХ переходов 49
3.1.4. Зависимость плотности критического тока и характерного напряжения переходов от температуры 52
3.1.5. Зависимость характерного напряжения контактов от параметра микроскопической теории /eff 55
3.1.6. Влияние внешнего микроволнового излучения 56
3.1.7. Переход во внешнем магнитном поле 59
3.2 Цепочки двухбарьерных переходов 62
3.3 Возможности и ограничения на применение СИНИС переходов в схемах высокой степени интеграции 66
3.4 Сверхпроводниковые цифровые БОК схемы на основе СИНИС технологического процесса 3.5 Требования к параметрам элементов цифровых БОК схем 69
4 Исследование областей работоспособности цифровых БОК
4.1. Преобразование одноквантовой формы представления информации в потенциальную и обратное преобразование 75
4.2. Высокочастотное исследование передачи и обработки одноквантовых импульсов в БОК схемах на основе Т - триггера 80
4.3. 8 - битный сдвиговый регистр 85
4.4. Детектирование редких сбоев в цифровых БОК схемах 89
Заключение 94

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Бусыгина Елена Леонидовна
Количество страниц
Год
2005
99 000 UZS
Автор
Воронков Сергей Владимирович
Количество страниц
Год
2003
99 000 UZS
Автор
Ершов Николай Викторович
Количество страниц
Год
2005
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3