Введение
Глава 1 Современное состояние работ в области моделирования Si и SiGe биполярных транзисторных структур с учетом радиационных эффектов 14
1.1 Обзор современного состояния исследований в области приборно-технологического моделирования радиационных эффектов в структуре Si и SiGe биполярных транзисторов 14
1.2 Обзор современного состояния исследований в области разработки схемотехнических SPICE-моделей, учитывающих радиационные эффекты в Si и SiGe биполярных транзисторах 16
1.3 Выводы по главе 1 20
Глава 2 Приборно-технологические модели, учитывающие радиационные эффекты в структуре Si БТ и SiGe ГБТ 22
2.1 TCAD модель электрофизических параметров, учитывающая влияние гамма излучения в структурах Si БТ и SiGe ГБТ 22
2.2 TCAD модель электрофизических параметров, учитывающая влияние нейтронного излучения в структурах Si БТ и SiGe ГБТ 37
2.3 TCAD модель, учитывающая влияние структурных и ионизационных эффектов в структурах Si БТ и SiGe ГБТ при воздействии протонов 50
2.4 Выводы по главе 2 63
Глава 3 Унифицированная SPICE-макромодель Si/SiGe биполярного транзистора, учитывающая влияние радиационных эффектов 65
3.1 Общий подход к разработке радиационных SPICE-моделей Si/SiGe БТ 65
3.2 Экстракция дополнительного набора радиационно-зависимых параметров унифицированной SPICE-макромодели Si/SiGe биполярных транзисторов 79
3.3 Выводы по главе 3 92
Глава 4 Применение разработанных TCAD и SPICE моделей в практике проектирования Si БТ и SiGe ГБТ и фрагментов ИС и БИС, подвергнутых воздействию радиации 93
4.1 Примеры сквозного TCAD-SPICE моделирования Si БТ и SiGe ГБТ при воздействии нейтронного излучения 93
4.2 Оценка влияния поверхностных эффектов на радиационную стойкость СВЧ эпитаксиально-планарного n-p-n Si БТ 2Т391 при воздействии гамма излучения 108
4.3 Применение SPICE-RAD-модели для схемотехнического моделирования фрагментов ИС, подвергнутых воздействию различных видов радиации 113
4.4 Выводы по Главе 4 129
Заключение 131
Список использованной литературы 135
