Введение
Глава 1. Обзор области исследования 10
1.1 Эффекты Джозефсона 10
1.2 Типы слабосвязанных структур 14
1.3 Выбор материалов для планарных СИС структур 22
1.4 Технология изготовления СИС переходов методом селективного травления 25
1.5 Определение основных параметров СИС переходов 30
1.6 СИС переходы в СВЧ приёмных устройствах на основе квазичастичной нелинейности 33
1.7 Постановка задачи исследования 37
Глава 2. Эффект близости в структурах Nb/Al-A10x/Nb 40
2.1 Микроскопическая теория туннельного эффекта для СНИС структур 40
2.2 Методика проведения эксперимента 43
2.3 Влияние толщины нижнего электрода на параметры СИС переходов 45
2.4 Влияние толщины слоя барьерного алюминия на параметры СИС переходов 48
2.5 Структуры с дополнительным слоем алюминия в нижнем электроде 51
Глава 3. Туннельные джозефсоновские СИС переходы на основе структур Nb/Al-AINX/Nb и Nb/AI-AlNx/NbN 54
3.1 Барьер Al-AINX 54
3.2 Методика проведения эксперимента 56
3.3 СИС переходы на основе структуры Nb/Al-AIN/Nb 59
3.4 СИС переходы на основе структуры Nb/Al-AlNJNbN 62
3.5 Сверхпроводниковый генератор гетеродина на основе структуры Nb/Al-AlN/NbN 65
Глава 4. Туннельные джозефсоновские СИС-переходы на основе структуры NbN/MgO/NbN 72
4.1 Свойства плёнок NbN и СИС структуры на их основе 72
4.2 Методика проведения эксперимента 77
4.3 СИС переходы на основе структуры NbN/MgO/NbN 80
Заключение 82
Работы автора по теме диссертации 84
Список литературы
