Введение
Глава 1. Анализ проблем диагностики методами электронной оже-спектроскопии (ЭОС), знерго-масс-спектрометрии вторичных ионов (ЭМСВИ), резерфордовского обратного рассеяния ионов (POP), спектрометрии ядер отдачи (СЯО) планарных тонкопленочных покрытий и модифицированных поверхностей твердого тела 17
1,1. Проблемы диагностики структур микроэлектроники на основе кремния и арсенида галлия. Проблемы диагностики поверхности модифицированной лучевыми технологиями 17
1.2. Многообразие методов исследования поверхности. Возможности и недостатки методов ЭОС, ЭМСВИ, POP, СЯО 18
1.3. Примеры использования атомно- и ядерно- физических методов для диагностики планарных тонкопленочных покрытий и модифицированных поверхностей твердого тела 3
Глава 2. Теоретические основы количественной ЭОСс матричными поправками 54
2.1. Современное состояние развития количественной ЭОС 54
2.1.1. Фактор обратного рассеяния 58
2.1.2. Глубина выхода оже-электоронов 61
2.2. Способ определения атомной плотности твердого тела методом ЭОС 64
Глава 3. Калибровка и экспериментальная апробация способа элементной количественной ЭОС 68
3.1, Исследование эталона методами POP, МСВИ, ЭОС 68
3.2. Исследование образцов бериллия, имплантированного ионами титана, способом элементной количественной ЭОС и POP 71
3.3.Оценка погрешностей 72
3.3.1. Погрешность при определении концентраций методом POP 72
3.3.2. Погрешность при определении концентраций способом элементной количественной ЭОС 73
3.3.3. Восстановление и сравнение функций распределения погрешностей для метода POP и способа элементной количественной ЭОС
Глава 4. Процедура извлечения информации из структуры спектров оже-электронов 86
4.1. Необходимость использования интегральных ожеспектров 86
4.2. Процедура восстановления истинных оже-спектров из дифференциальных 89
4.2.1. Численное интегрирование 90
4.2.2. Вычитание фона 91
4.2.3. Учёт транспортной функции
4.2.4. Примеры использования восстановленных спектров 7Z-92
Глава 5. Примеры практического совместного использования методов ЭМСВИ, ЭОС, POP, СЯО для исследования тонкопленочных структур приповерхностных областей твердого тела 99
5.1. Послойный анализ бор-фосфоро-силикатных стекол методом ЭМСВИ в сочетании с ЭОС, POP и СЯО 99
5.2. Исследование методами POP и ЭОС поверхности бериллия, модифицированной ускоренными ионами титана 104
5.3. Совместное использование ЭМСВИ и ЭОС с целью изучения зависимости параметров вторичной ионной и оже-электронной эмиссии от типа легирующей примеси 107
Выводы по диссертации 117
Литература U8
Приложения 130
