Введение
1. Особенности моделирования радиационного воздействия на комплементарные микросхемы в сапр иэт и методы повышения его адекватности для современных изделий 8
1.1. Методология оценки стойкости комплементарных микросхем в соответствии с кгс «климлт-7» 8
1.2. Радиационные эффекты импульсного излучения в современных комплементарных микросхемах 13
1.3 Анализ современных средств проектирования комплементарных микросхем 19
1а Проблемы моделирования импульсного радиационного воздействия в сапр иэт. постановка задачи 23
2. Математическое обеспечение моделирования импульсного излучения современных полупроводниковых структур 30
2.1 Методика оценки стойкости микросхем к импульсным видам воздействия 30
2.2 Анализ физических процессов в p-n переходах современных микросхем и моделирование ионизационного тока 39
2.3 Анализ физических процессов a p-n переходах и моделирование ионизационного тока при воздействии импульсного ии с учетом температуры 51
2.4 Моделирование тока ионизации в p-n - переходе при воздействии импульса ии с различными амплитудно-временными характеристиками 58
3. Математическое и алгоритмическое обеспечение моделирования импульсного излучения для типовых элементов современных комплементарных микросхем 65
3.1 Моделирование изменения выходных параметров типовых элементов современных микросхем при воздействии импульсного излучения 65
3.2 Моделирование изменения параметров типовых элементарных структур от импульсного воздействия на флу 77
3.3. Алгоритмическая основа моделирования импульсного воздействия 85
3.3.1. Алгоритм моделирования ионизационных эффектов типовых элементов на схемотехническом уровне 89
3.3.2. Алгоритм моделирования импульсного воздействия в процессе проектирования современных микросхем нафлу 92
4. Особенности построения программных средств моделирования импульсного излучения в сапр иэт. анализ их адекватности и эффективности 97
4.1. Структура программного обеспечения подсистемы моделирования импульсного воздействия и особенности ее работы 97
4.2. Экспериментальная оценка адекватности и эффективности разработанных сіедств моделирования 104
4.3. Внедрение, результаты моделирования и область применения 108
Заключение 125
Литература 127
