Введение
1. Анализ методов моделирования радиационного воздействия на конструкцию микроэлектронных устройств и постановка задачи 9
1.1. Методология оценки стойкости изделий микроэлектроники в соответствии с ГОСТ "Климат-7" 9
1.2. Воздействие рентгеновского излучения с большой степенью поглощения на конструкцию микроэлектронного устройства 14
1.3. Анализ моделей расчета тепловых и термомеханических эффектов и средств учета их в САПР микроэлектронных устройств 18
1.4. Цель и задачи исследования 25
2. Математические модели расчета тепловых и термомеханических эффектов, возникающих в конструкции микроэлсктронного устройства при воздействии рентгеновского излучения с большой степенью поглощения 28
2.1 Динамическая модель процессов, возникающих в конструкции микроэлектронного устройства при воздействии рентгеновского излучения с большой степенью поглощения 28
2.2. Прогнозирование тепловых эффектов 37
2.3. Прогнозирование термомеханических эффектов 45
2.4. Методика расчета стойкости микроэлектронных устройств к воздействию излучения с большой степенью поглощения 59
3. Разработка алгоритмического, информационного и проблемно-ориентированного программного обеспечения расчета тепловых и термомеханических эффектов 70
3.1. Общий алгоритм расчета тепловых и термомеханических эффектов 70
3.2. Структура программного обеспечения расчета тепловых и термомеханических эффектов 84
3.3. Информационное обеспечение расчета тепловых и термомеханических эффектов 89
4. Результаты прогнозирования и оценка эффективности программных средств 97
4.1. Комплекс программ расчета стойкости микроэлектронных устройств к тепловым и термомеханическим эффектам 97
4.2. Результаты расчета тепловых и термомеханических эффектов для различных конструкций корпусов изделий микроэлектроники и рекомендации по их проектированию 109
4.3. Оценка эффективности разработанных средств, внедрение средств прогнозирования и разработка методического обеспечения 117
Заключение 121
Список использованных источников
