Введение
Глава 1 Обзор литературных данных по методам получения тонких пленок и исследования эллипсометрическими методами 10
1.1 Вакуумные методы пол учения плёночных структур 10
1.1.1 Методы ионно-плазменного распыления 11
1.1.2 Методы термического вакуумного испарения 13
1.2 Методы исследования тонких пленок и наноструктур, основанные на анализе изменения состояния поляризации при отражении 17
1.2.1 Отражательная эллипсометрия 17
1.2.2 Магнитооптические эффекты 19
1.2.3 Магнитоэллипсометрия 22
1.2.4 Возможности магнитоэллипсометрии при проведении температурных исследований 25
1.3 Технологические решения для проведения температурных эллипсометрических и магнитооптических исследований 29
1.4 Постановка задачи 35
Глава 2 Разработка тестовых систем нагрева и охлаждения образцов в температурном диапазоне 85–900 K 36
2.1 Тестовая система охлаждения с термостабилизацией в диапазоне от 85 до 470 K 37
2.2 Тестовая система нагрева 43
2.2.1 Поиск возможных решений создания системы нагрева 43
2.2.2 Моделирование процессов нагрева для разработанной тестовой конструкции держателя 47
2.3 Выводы к главе 2 50
Глава 3 Разработка и изготовление специальной оснастки сверхвысоковакуумной камеры 52
3.1 Вакуумная камера 53
3.2 Напылительная система 56
3.3 Вакуумная откачная система 59
3.4 Система крепления спектрального магнитоэллипсометрического комплекса 62
3.5 Магнитная система 64
3.6 Манипулятор-держатель, обеспечивающий шлюзовую загрузку исследуемых структур и позволяющий проводить эллипсометрическую диагностику в широком диапазоне температур 3.6.1 Система шлюзовой загрузки и вакуумного затвора 69
3.6.2 Транспортная вакуумная система 71
3.6.3 Держатель образца 73
3.6.4 Система нагрева образца 74
3.6.5 Система подачи жидкого азота 75
3.7 Проведение испытаний специальной оснастки сверхвысоковакуумной камеры 76
3.7.1 Оценка работоспособности эллипсометрической системы 78
3.7.2 Оценка работоспособности системы нагрева и охлаждения 80
3.7.3 Оценка работоспособности напылительной системы 83
3.7.4 Тестирование работоспособности магнитной системы 88
3.8 Выводы к главе 3 89
Глава 4 Тестирование разработанного магнитоэллипсометрического комплекса 94
4.1 Подготовка подложки Si O2 /Si(100) 96
4.2 Синтез структуры F e/SiO2/Si(100) 99
4.3 Проведение in situ спектральных эллипсометрических и магнито -эллипсометрических измерений в широком диапазоне температур 101
4.4 Выводы к главе 4 109
Заключение 111
Благодарности 114
Список сокращений и условных обозначений 115
Список литературы 116
