Введение
Глава 1. Общая характеристика материала CdHgTe. Основные методы выращивания и управления свойствами ЭС CdHgTe 14
1.1 Основные свойства материала CdHgTe (KPT) 14
1.2 Методы выращивания ЭС КРТ 22
1.2.1 Газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений 24
1.2.2 Молекулярно-лучевая эпитаксия 27
1.2.3 Жидкофазная эпитаксия (ЖФЭ) 29
1.3 Фазовые равновесия в системе Cd - Hg - Те применительно к условиям проведения ЖФЭ 38
1.4 Легирование и термообработка КРТ с целью придания заданных электрофизических свойств 43
1.5 Требования к ЭС КРТ для создания многоэлементных фоторезисторов и фотодиодных матричных фотоприемников 46
1.6 Выводы по главе 1 48
Глава 2. Опробование различных вариантов ЖФЭ применительно к получе нию ЭС КРТ из растворов-расплавов на основе Те 51
2.1 ЖФЭ КРТ в горизонтальной проточной системе 53
2.2 Вертикальный вариант ЖФЭ КРТ в условиях повышенного давления защитного газа 57
2.3 ЖФЭ КРТ в запаянной кварцевой ампуле 61
2.4 Выводы по главе 2 65
Глава 3. Математическое моделирование процессов выращивания ЭС КРТ из жидкой фазы 67
3.1 Математическая постановка задачи 69
3.2 Результаты численного моделирования конвекции при растворении и росте КРТ методом ЖФЭ 75
3.3 Выбор режимов получения ЭС с гладкой поверхностью и однородным распределением состава 81
3.4 Выводы по главе 3 85
Глава 4. Разработка технологических основ выращивания ЭС КРТ методом ЖФЭ в запаянной ампуле, их легирования и отжига 86
4.1 Разработка технологических режимов выращивания ЭС КРТ с заданными составом, толщиной и морфологией поверхности из растворов-расплавов на основе Те 86
4.2 Исследование структурного совершенства ЭС КРТ, выращенных по разработанным технологическим режимам 96
4.3Разработка технологических режимов выращивания легированных индием или галлием ЭС КРТ из растворов-расплавов на основе Те 99
4.4Разработка режимов отжига. Электрофизические, фотоэлектри ческие и оптические свойства ЭС КРТ 102
4.5 Выводы по главе 4 106
Глава 5. Разработка технологии выращивания ЭС КРТ методом ЖФЭ для крупноформатных матричных фотодиодных и многоэлементных фоторезистивных ИК фотоприемников 107
5.1 Технология выращивания ЭС КРТ методом ЖФЭ для ИК фотоприемников 107
5.2 Опробование ЭС КРТ при изготовлении крупноформатных матричных фотодиодных и многоэлементных фоторезистивных ИК фотоприемников 114
5.3 Выводы по главе 5 117
Выводы 118
Список литературы 122
