Введение
Глава 1. Оптические методы измерения физических параметров твердых тел - состояние проблемы . 13
1.1. Метод матриц Джонса описания анизотропных свойств оптических элементов 14
1.2. Теорема взаимности и метод матриц Джонса. Взаимные и невзаимные оптические фазовые анизотропные системы . 19
1.3. Теорема эквивалентности Пуанкаре и метод матриц Джонса. 23
1.4. Экспериментальные методы исследования оптических анизотропных свойств. 29
1.5. Оптические методы контроля температуры и толщины твердых тел. 34.
Глава 2. Теорема эквивалентности для невзаимных оптических систем и преобразование свойств анизотропии оптических элементов. 44
2.1. Теорема эквивалентности в невзаимных системах. 44
2.2. Теорема эквивалентности в двухпроходных оптических схемах с невзаимными элементами . 48
2.3. Невзаимные эллиптические базисы. 49
2.4. Преобразование свойств анизотропии взаимных поляризационных элементов. 52
2.5. Преобразование анизотропных свойств невзаимных элементов. 58
2.6. Примеры преобразования базовых типов анизотропии. б 1
Выводы к главе 2 64
Глава 3. Методы измерения эффектов вынужденной оптической анизотропии в кольцевых и двухпроходных схемах 66
3.1. Кольцевые схемы измерения. 66
3.2. Измерение эффектов вынужденной оптической анизотропии в двухпроходной схеме. 72
3.3. Детектирование поверхностных звуковых волн в твердом теле с применением двухпроходной схемы. 85
Выводы к главе 3 95
Глава 4. Мониторинг технологических процессов с применением методов низкокогерентной тандемной интерферометрии . 96
4.1. Метод контроля положения модулятора разности хода интерферометра. 96
4.2. Метод измерения геометрической толщины и показателя преломления образца. 102
4.3. Системы промышленного мониторинга толщины . 106
4.4. Система контроля толщины и температуры в полупроводниковых микро- и нанотехнологиях. 111
4.5. Исследование технологических параметров горизонтального МОГФЭ реактора. 118
4.6. Исследование технологических параметров вертикального МОГФЭ реактора. 125
4.7. Методики определения толщины и температуры образца в процессе роста полупроводниковых структур. 130
Выводы к главе 4 136
Заключение 138
Список цитированной литературы
