Введение
1. Электронные возбуждения в широкощелевых оксидах. бериллийсодержащие оксиды 10
1.1. Электронные возбуждения в широкощелевых оксидах 10
1.1.1. Автолокализация электронных возбуждений в диэлектриках 10
1.1.2. Особенности автолокализации электронных возбуждений в оксидных кристаллах 14
1.2. Свойства бинарных оксидов ВеО, а-А1203 и a-Si02 22
1.2.1. Оксид бериллия ВеО 22
1.2.2. Оксид алюминия OC-AI2O3 25
1.2.3. Оксид кремния a-Si02 27
1.2.4. Радиационное дефектообразование в крист аллах ВеО, а-А1203 и a-Si02 28
1.3. Свойства сложных бериллийсодежащих оксидов BeAI204, Be2Si04 и Be3Al2Si6018 35
1.3.1. Хризоберилл ВеА1204 35
1.3.2. Фенакит Be2Si04 38
1.3.3. Берилл Be3Al2Si6018 41
1.4. Задачи настоящей работы 44
2. Объекты исследования и техника эксперимента 46
2.1. Объекты исследования 46
2.2. Техника эксперимента 47
2.2.1. Времяразрешенная ВУФ-спектроскопия 47
2.2.2. Радиационно - оптический комплекс на канале циклотрона 50
2.2.3. Техника исследования рентгено- и катодолюминесценции 55
2.2.4. Обработка результатов эксперимента 56
3. Релаксация электронных возбуждений в бериллиисодержащих оксидах 58
3.1. Ветвление релаксации электронных возбуждений В ВеО 58
3.2. Времяразрешенная спектроскопия кристаллов BeAI204, Be2Si04 и Be3AI2Si6Oi8 68
3.2.1. Хризоберилл ВеА1204 68
3.2.2. Фенакит Be2Si04 75
3.2.3. Берилл Be3Al2Si6018 79
3.3. Релаксация электронных возбуждений в хризоберилле, фенаките и берилле 83
Выводы к главе 92
4. Передача энергии электронных возбуждений и дефектообразование в бериллиисодержащих оксидах 94
4.1. ВУФ-спектроскопия околопримесных экситонов в кристаллах BeO-Zn И BeO-Mg 94
4.2. ВУФ-спектроскопия f- и f+- центров в кристаллах ВеО 101
4.3. Люминесценция и дефектообразование в вео под воздействием ионов 107
4.4. Люминесценция и дефектообразование в BeAI204, Be2Si04 И Be3Al2Si6018 под воздействием ионов 108
4.4.1. Хризоберилл ВеА1204 109
4.4.2. Фенакит Be2SiO 111
4.4.3. Берилл Be3Al2Si60,8 113
Выводы к главе 118
Заключение 120
Библиографический список 123
