Введение
Глава I. Обзор литературы 11
1.1. Взаимодействие рентгеновского излучения с веществом 11
1.2. Рентгенодифракционные методы определения параметров кристаллической решетки
1.2.1. Связь относительной вариации параметра кристаллической решетки с изменением брэгговского угла рентгеновского рефлекса 17
1.2.2. Метод двухкристальной дифрактометрии 18
1.2.4. Метод трехкристальной дифрактометрии 21
1.2.3. Метод квазимноговолновой дифракции 23
1.3. Методы исследования дефектной структуры кристаллов 25
1.4. Пьезоэлектрический эффект и традиционные (нерентгеновские) методы исследования пьезоэлектрических свойств кристаллов
1.4.1. Явление пьезоэффекта 31
1.4.2. Метод с использованием интерферометра Майкельсона 35
1.4.3. Емкостной метод измерения обратного пьезоэффекта 36
1.4.4. Метод измерения индуцированного заряда на электродах образца 38
1.4.5. Метод резонанса и антирезонанса 39
1.5. Применение рентгенодифракционных методов для исследования дефектной структуры кристаллов в условиях внешних электрических полей и определения их пьезолектрических характеристик 42
ГЛАВА II. Определение пьезомодулей кристаллов лантан-галлиевого танталата с помощью рентгеновских методов двух- и трехкристальной дифрактометрии и квазимноговолновой дифракции 48
2.1. Исследуемые образцы 48
2.2. Расчет пар компланарных рентгеновских рефлексов, удовлетворяющих условиям многоволновой (квазимноговолновой) дифракции. 52
2.3. Методики определения пьезомодулей кристаллов по данным, полученным с помощью различных рентгенодифракционных методов
2.3.1. Двухкристальная дифрактометрия 57
2.3.2. Трехкристальная дифрактометрия 60
2.3.3. Квазимноговолновая дифракция
2.4. Определение пьезмодуля d11 кристалла лантан-галлиевого танталата методами двух- и трехкристальной дифрактометрии и квазимноговолновой дифракции 67
2.5. Определение локальной вариации пьезмодуля d11 кристалла лантан-галлиевого танталата методами трехкристальной дифрактометрии и квазимноговолновой дифракции 74
2.6. Выводы 79
ГЛАВА III. Исследование обнаруженного эффекта образования неферроидных, медленно формирующихся доменов в кристаллах парателлурита под воздействием внешнего постоянного электрического поля с помощью рентгеновских методов двух- и трехкристальной дифрактометрии 80
3.1. Исследуемые образцы 80
3.2. Обнаружение эффекта образования доменов в кристаллах парателлурита при наложении внешнего электрического поля и его исследования методом двухкристальной дифрактометрии 83
3.3. Методика сканирования обратного пространства методом трехкристальной рентгеновской дифракции 86
3.3.1. Со-сканирование 89
3.3.3. В-2в-сканирование с фиксированной отстройкой по со 92
3.4. Исследование доменов в кристаллах парателлурита методом Трехкристальной рентгеновской дифрактометрии 95
3.5. Применение метода рентгеновской топографии для Исследования типа доменов и их визуализации 98
3.6. Выводы 101
ГЛАВА IV. Исследование дефектной структуры кристаллов парателлурита рентгеновскими методами многоволновой дифракции и стандартной двухволновой дифрактометрии 102
4.1. Исследуемый образец 102
4.2. Расчет аппаратной функции рентгеновского дифрактометра и ее учет при моделировании двухкристальных кривых дифракционного отражения 103
4.3. Схема эксперимента 110
4.4. Полученные результаты 114
4.5. Выводы 115
Выводы и основные результаты работы 116
Литература 117
