Резонансное и брэгговское рассеяние быстрых электронов от совершенных поверхностей InAs и GaAs в дифракции на отражение

Мансуров, Владимир Геннадьевич. Резонансное и брэгговское рассеяние быстрых электронов от совершенных поверхностей InAs и GaAs в дифракции на отражение : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10.- Новосибирск, 2000.- 176 с.: ил. РГБ ОД, 61 00-1/859-1
Автор
Мансуров, Владимир Геннадьевич
Год
2000

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Электронная структура, состав и фотолюминесценция пористого кремния
99 000 UZS
Автор
Мануковский, Эдуард Юрьевич
Количество страниц
Год
2000
Атомная и электронная структура поверхности и фазообразование в многослойных композициях на основе кремния
99 000 UZS
Автор
Пархоменко, Юрий Николаевич
Количество страниц
Год
2000
Влияние магнитного поля на процессы рождения экситонов в полярных полупроводниках
99 000 UZS
Автор
Прохоров, Алексей Владимирович
Количество страниц
Год
Исследование оптических и фотоэлектрических свойств аморфных тонкопленочных материалов a-Si1-xCx:H и активных приборных структур на их основе
99 000 UZS
Автор
Ханов, Джумамурад
Количество страниц
Год
Сверхпроводящие свойства системы твердых растворов SnTe-PbTe, легированных индием
99 000 UZS
Автор
Шахов, Михаил Александрович
Количество страниц
Год
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3