Введение
Глава 1. Литературный обзор 10
1.1 Самособирающиеся полупроводниковые монослои (ССПМ) 10
1.1.1 Общие сведения об органических полевых транзисторах 11
1.1.2 Расчет ключевых параметров ОПТ 13
1.1.3 Выбор материалов для ОПТ 18
1.1.4 ОПТ на основе самособирающихся полупроводниковых монослоев 32
1.2 Самособирающиеся интерфейсные слои (СПС) 49
1.2.1 СПС, смещающие пороговое напряжение открытия ОПТ 49
1.2.2 СПС, влияющие на плотность электронных состояний в канале ОПТ 53
1.2.3 СПС для модификации работы выхода проводников 56
1.2.4 СПС в качестве подзатворных диэлектриков ОПТ 57
1.2.5 СПС в качестве промоутеров адгезии 60
1.3 Самособирающиеся барьерные покрытия для органической электроники 64
Постановка задачи 70
Глава 2. Экспериментальная часть 72
2.1 Инструментальные методы 72
2.1.1 Методы исследования морфологии тонких пленок 72
2.1.2 Измерение полупроводниковых свойств 72
2.1.3 Рентгенеструктурный анализ 73
2.1.4 Молекулярное моделирование 73
2.1.5 Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия 73
2.1.6 Измерение квантового выхода, спектров и кинетик фотолюминесценции 74
2.1.7 Измерение контактного угла смачивания и расчет поверхностной энергии 74
2.1.8 Оценка адгезии серебряных проводящих структур к подложке 74
2.1.9 Электромеханические испытания 74
2.1.10 Плазменная обработка поверхности 75
2.1.11 Измерение газопроницаемости методом оптического калиевого теста 75
2.2 Исходные соединения, материалы и растворители 76
2.3 Методика изготовления самособирающихся полупроводниковых монослоев и полевых 78
2.3.1 Изготовление и предварительная обработка подложек для СМОПТ 78
2.3.2 Изготовление самособирающихся полупроводниковых монослоев 78
2.4 Методика изготовления самособирающиеся интерфейсные слоев и печати на них 79
2.4.1 Формирование интерфейсных слоев из газовой фазы 79
2.4.2 Формирование интерфейсных слоев из жидкой фазы 79
2.4.3 Печать проводящих структур 80
2.5 Методика изготовления самособирающихся барьерных покрытий 80
Глава 3. Результаты и их обсуждение 81
3.1 Самособирающиеся кремнийорганические полупроводниковые монослои 81
3.1.1 Изготовление полупроводниковых монослоев и СМОПТ на их основе 81
3.1.2 Морфология и структура полупроводниковых монослоев 98
3.1.3 Зависимость полупроводниковых свойств от химического строения олигомера, метода изготовления слоя и его морфологии 113
3.2 Самособирающиеся кремнийорганические интерфейсные слои (СИС) 118
3.2.1 Изготовление и характеризация СИС 118
3.2.2 Свойства интерфейсных слоев 126
3.3 Самособирающиеся кремнийорганические барьерные покрытия 132
3.3.1 Изготовление барьерных слоев и их морфология 132
3.3.2 Исследование барьерных свойств покрытий 137
Выводы 140
Благодарности 141
Список литературы 142
