Введение
ГЛАВА 1. Характеристика исследуемых систем (обзор литературы) 8
1.1. Фазовые диаграммы двухкомпонентных систем 8
1.1.1. Система свинец - теллур 8
1.1.2. Система германий — теллур 9
1.1.3. Система олово - теллур 12
1.2. Фазовые диаграммы квазибинарных систем 14
1.2.1. Система PbTe-GeTe 14
1.2.2. Система SnTe-GeTe 16
1.3. Особенности химической связи в полупроводниковых соединениях группы
ГЛАВА 2. Методики исследования, использованные в работе 22
2.1. Определение состава образцов 22
2.1.1. Определение концентрации носителей заряда 22
2.1.2. Рентгенофазовый анализ 23
2.1.3. Локальный рентгеноспектральный анализ 24
2.1.4. Масс-спектрометрия вторичных нейтральных частиц 25
2.2. Исследование структурных характеристик кристаллов и пленок 26
2.2.1. Оптическая микроскопия 26
2.2.2. Электронная микроскопия 26
2.3. Исследование зарядового состояния атомов 27
2.3.1. Рентгеновская эмиссионная спектроскопия 27
2.3.2. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия 29
ГЛАВА 3. Синтез и характеристика образцов 36
3.1. Методы синтеза кристаллов и пленок на основе соединений литературы 36
3.1.1. Методы выращивания монокристаллов из расплава и пара 36
3.1.2. Методы синтеза пленок 38
3.2. Синтез и характеристика кристаллов и пленок (экспериментальная часть) 45
3.2.1. Синтез поликристаллических образцов 45
3.2.2. Выращивание и характеристика монокристаллов 45
3.2.3. Синтез пленок теллурида германия методом "горячей стенки" 48
3.2.4. Характеристика структуры и электрофизических свойств пленок GeTe 51
ГЛАВА 4. Изучение зарядового состояния атомов германия в твердых растворах
4.1. Методы определения зарядового состояния атомов в кристаллах (обзор литературы) 51
4.1.1. Краткий обзор методов исследования зарядового состояния атомов 57
4.1.2. Рентгеновская эмиссионная спектроскопия как метод определения эффективного заряда атома 62
4.1.3. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия 65
4.2. Литературные данные о зарядовом состоянии различных атомов в соединениях АВЩ и твердых растворах на их основе 68
4.3. Определение эффективного заряда атомов германия в твердых растворах Pbi.xGexTeviSn1.xGexTe 72
4.3.1. Результаты, полученные методом рентгеновской эмиссионной спектроскопии 72
4.3.2. Результаты, полученные методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии 76
4.4. Резюме главы 4 79
ГЛАВА 5. Исследование диффузии германия в кристаллах . 81
5.1. Методы изучения твердофазной диффузии (обзор литературы) 81
5.1.1. Методы моделирования и регистрации концентрационных профилей 81
5.1.2. Профильный анализ 83
5.1.3. Послойный анализ 85
5.1.3.1. Способы снятия слоев с поверхности образца 85
5.1.3.2. Методы определения концентрации компонентов 86
5.1.4. Обработка диффузионных данных 89
5.2. Литературные данные о диффузии примесей в теллуридах свинца и олова 92
5.3. Исследование диффузии германия в кристаллах РЬТе и SnTe. 95
5.3.1. Приготовление образцов 95
5.3.1.1. Выбор условий диффузионных отжигов 95
5.3.1.2. Проведение диффузионных отжигов 101
5.3.2. Регистрация профилей концентраций и расчет коэффициентов диффузии германия 103
5.4. Резюме главы 5 107
ГЛАВА 6. Изучение окисления поверхности кристаллов твердых растворов 108
6.1. Литературные данные об окислении поверхности полупроводников группы
А^ВЩ. 108
6.2. Изучение окисления поверхности твердых растворов Pbi.J3exTe и Sni-xGexTe
кислородом воздуха 113
6.2.1. Окисление поверхности бинарных теллуридов 114
6.2.2. Окисление поверхности твердого раствора Pbo.93Geo.07Te 117
6.2.3. Окисление поверхности твердого раствора Snj.xGexTe 121
6.3. Резюме главы 6 125
Выводы 127
Благодарности 128
Список литературы
