Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств

Земцов Александр Евгеньевич. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств : Дис. ... канд. хим. наук : 02.00.04 : Омск, 2004 155 c. РГБ ОД, 61:05-2/112
Автор
Земцов Александр Евгеньевич
Год
2004
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
Глава 1. Литературный обзор 11
1.1. Основные физико-химические свойства GaAs, CdS 11
1.1.1. Кристаллохимические свойства 11
1.1.2. Электрофизические и оптические свойства 14
1.1.3. Получение GaAs и CdS 22
1.2. Поверхностные свойства GaAs, CdS 25
1.2.1. Структура и химический состав поверхности 25
1.2.2. Адсорбционные свойства поверхности 33
1.3. Твердые растворы типа АШВУ-АПВУІ. Система GaAs-CdS 39
1.4. Применение GaAs, CdS в сенсорах газов. Сенсоры на аммиак 42
1.5. Методы квантово-химических расчетов 45
1.5.1. Метод Хюккеля (МОХ) 45
1.5.2. Расширенный метод Хюккеля (РМХ) 47
1.5.3. Метод ССП-Х„ 50
1.5.4. Основные квантово-химические расчетные методы, используемые в программе HyperChem 51
1.6. Моделирование адсорбции газов на твердой поверхности 53
1.7. Выдыхаемый газ: состав, анализ, медицинская диагностика 56
Глава 2. Экспериментальная часть 59
2.1. Исследуемые объекты и их получение 59
2.1.1. Синтез твердых растворов системы GaAs-CdS в виде порошков.59
2.1.2. Получение тонких пленок на основе соединений GaAs, CdS 61
2.2. Идентификация твердых растворов 63
2.2.1. Рентгенографический анализ 63
2.2.2. Метод спектроскопии комбинационного рассеяния 65
2.3. Исследование кислотно-основных свойств в жидких средах 65
2.3.1. Определение рН-изоэлектрического состояния 66
2.3.2. Исследование кислотно-основных свойств методом механохимии 61
2.4. Измерение адсорбции методом пьезокварцевого микровзвешивания...68
2.5. Термодесорбционные измерения масс-спектрометрическим метод ом...69
2.6. Метод ИК-спектроскопии 71
Глава 3. Компьютерное моделирование и квантово-химический расчет ...72
3.1. Компьютерное моделирование и квантово-химический расчет
кристаллических решеток GaAs, CdS и (GaAs)x(CdS)i.x 72
3.1.1. Построение кристаллической решетки сульфида кадмия и расчет ее характеристик с использованием программы HyperChem...72
3.1.2. Построение кристаллической решетки арсенида галлия и квантово-химический расчет ее характеристик с использованием компьютерной программы HyperChem 73
3.1.3. Построение кристаллической решетки твердого раствора
(GaAs)x(CdS)i.x в компьютерной программе HyperChem 74
3.2. Квантово-химический расчет энергетических характеристик молекул 02, СО, С02, NH3 и кристаллических кластеров GaAs, CdS, (GaAs)0,25( CdS)0;75-76
3.3. Компьютерное моделирование адсорбции молекул 02, СО, С02,
NH3 на поверхности кластеров GaAs, CdS, (GaAs)x(CdS)i.x 77
Глава 4. Результаты эксперимента и их обсуждение
4.1. Идентификация твердых растворов 79
4.1.1. Кристаллографические свойства системы (GaAs)x(CdS)i.x 79
4.1.2. КР спектроскопия системы GaAs-CdS 86
4.2. Кислотно-основные свойства компонентов системы GaAs-CdS 90
4.3. Адсорбционные свойства компонентов системы GaAs-CdS 97
4.3.1. Адсорбция NH3 и СО на CdS и (GaAs)x(CdS)bx 97
4.3.2. Основные закономерности изменения физико-химических свойств GaAs, CdS и твердых растворов на их основе в результате адсорбции NH3 и СО 107
Глава 5. Результаты компьютерного моделирования и их обсуждение 109
5.1. Результаты построения кристаллических решеток GaAs, CdS и (GaAs)x(CdS),.x 109
5.2. Результаты квантово-химических расчетов энергетических уровней молекул О2, СО, СО2, NH3 и кластеров с кристаллическими решетками GaAs, CdS, (GaAs)x(CdS),.x 114
5.3. Результаты компьютерного моделирования адсорбции 02, СО, СО2, NH3 на поверхности кристаллических кластеров GaAs, CdS,
(GaAs)o,25( CdS)o,75 127
Выводы 135
Библиографический список

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Калинина Ирина Петровна
Количество страниц
Год
2004
99 000 UZS
Автор
Зонова Наталья Владимировна
Количество страниц
Год
2005
99 000 UZS
Автор
Кулакова Людмила Павловна
Количество страниц
Год
2005
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3