Введение
Глава 1. Теория фотоотражения полупроводниковых структур. Типы спектров фотоотражения и методы их анализа 14
1.1. Эффект Франца-Келдыша 14
1.2. Типы спектров фотоотражения 15
1.3. Анализ многокомпонентных спектров фотоотражения 22
1.3.1. Анализ модуля изменения коэффициента отражения 23
1.3.2. Фазочувствительный анализ спектров фотоотражения 26
1.3.3. Фурье-анализ спектров фотоотражения 28
1.4. Основные трудности модуляционной спектроскопии 29
Глава 2. Методика эксперимента. 31
2.1. Методы регистрации спектров фотоотражения 31
2.2. Автоматизированная установка для регистрации спектров фотоотражения с использованием двойного монохроматора 32
2.3. Программное обеспечение для анализа спектров фотоотражения 37
2.4. Регистрация спектров комбинационного рассеяния света 41
Глава 3. Исследование методом фотоотражения легированных полупроводников InP и GaAs 44
3.1. Исследование процесса активации примеси в легированных имплантацией ионов подложках InP и GaAs 44
3.1.1. Исследование InP, легированного ионами бериллия 45
3.1.2. Исследование GaAs, легированного ионами марганца 55
3.2. Исследование пленок GaAs, легированных кремнием 66
Глава 4. Исследование методом фотоотражения гете ростру ктур GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами 76
4.1. Исследование электронных переходов в нелегированных гетероструктурах GaAs/AlGaAs с одиночными квантовыми ямами 77
4.1.1. Спектры фотоотражения нелегированных гетероструктур с квантовыми ямами 80
4.1.2. Расчет энергий межзонных переходов в одиночных квантовых ямах
4.1.3. Параметр уширения линий в спектрах фотоотражения нелегированных структур с одиночными квантовыми ямами 88
4.2. Исследование электронных переходов в нелегированных гетероструктурах GaAs/AlGaAs с двойными квантовыми ямами 92
4.2.1. Исследование электронных переходов в двойных квантовых ямах 92
4.2.2. Исследование электронных переходов в двойных квантовых ямах с разной толщиной центрального барьера 99
4.3. Исследование электронных переходов в одиночных и двойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs с модулированным легированием барьеров 102
4.3.1. Модулировано легированные гетероструктуры 102
4.3.2. Самосогласованный расчет энергий и вероятностей межзонных переходов в модулировано легированных гетероструктурах с квантовыми ямами 105
4.3.3. Спектры фотоотражения модулировано легированных гетероструктур с квантовыми ямами 106
Заключение. Основные результаты и выводы 118
Литература 121
