Введение
Глава 1. Литературный обзор 14
1.1. Спин-орбитальное взаимодействие и g-фактор в низкоразмерных системах 14
1.2. Предложения по использованию спиновой степени свободы 20
1.3. Исследование спиновой релаксации в полупроводниковых наноструктурах 31
Глава 2. G-фактор дырок в Ge/Si квантовых точках 41
2.1. Описание объекта исследования и постановка задачи 41
2.2. Метод сильной связи 42
2.3. Метод вычисления g-фактора 56
2.4. g-фактор дырок в Ge/Si квантовых точках 69
2.5. Зависимость g-фактора от размера Ge/Si квантовой точки 75
2.6. Обсуждение экспериментальных возможностей измерения g-фактора дырок в Ge/Si квантовых точках 80
Выводы к главе 2 90
Глава 3. Спиновая релаксация дырок в массивах Ge/Si квантовых точек 91
3.1. Постановка задачи 91
3.2. Спиновая релаксация при туннелировании между квантовыми точками 92
3.2.1. Метод вычисления 92
3.2.2. Вероятность переворота спина при резонансном туннелировании 97
3.3. Спиновая релаксация дырок в Ge/Si квантовой точке за счёт взаимодействия с
фононами 112
3.4. Спиновый транспорт в двумерных массивах Ge/Si квантовых точек 123
Выводы к главе 3 137
Глава 4. Электроны в системе С Ge/Si квантовыми точками 138
4.1. Постановка задачи 138
4.2. Экспериментальные результаты исследований методом ЭПР электронов, локализованных вблизи Ge/Si квантовых точек 140
4.3. Обсуждение полученных результатов 149
4.3.1 g-фактор электронов, локализованных вблизи Ge/Si квантовых точек 149
4.3.2. Угловая зависимость ширины ЭПР-линии 156
Выводы к главе 4 160
Основные результаты и выводы 161
Приложение А. Спиновая релаксация за счёт флуктуации электронного потенциала 163
Приложение Б. g-фактор электрона, локализованного вблизи вершины Ge/Si квантовой точки 170
Заключение 197
Литература 201
