Введение
Глава 1. Наноразмерные сандвич-структуры сверхпроводник полупроводник-сверхпроводник 24
1.1. Сверхпроводящий эффект близости в сандвичах типа сверхпроводник-полупроводниковая-наноструктура-сверхпроводник...25
1.2. Андреевское отражение 30
1.3. Многократные андреевские отражения 33
1.4. Взаимосвязь между джозефсоновским критическим током и платопроводимости нормального состояния 34
Глава 2. Получение и свойства самоупорядоченных кремниевых квантовых ям 42
2.1. Самоорганизация микродефектов на поверхности монокристаллического кремния 42
2.2. Электрические и оптические свойства самоупорядоченных кремниевых квантовых ям 55
Выводы 64
Глава 3. Сверхпроводимость 8 - барьеров, ограничивающих кремниевые квантовые ямы на поверхности Si (100) 66
3.1. Температурная зависимость сопротивления в магнитном поле 66
3.2. Диамагнитный отклик 70
3.3. Скачок теплоемкости 74
3.4. Идентификация сверхпроводящей щели с помощью туннельных ВАХ 76
3.5.Возможные механизмы возникновения сверхпроводимости сандвич-наноструктур 8 - барьер - СККЯ - 8 - барьер 77
Выводы 84
Глава 4. Квантование сверхтока и андреевское отражение в кремниевых наноструктурах 86
4.1. Экспериментальная сандвич-наноструктура: сверхпроводник - СККЯ - сверхпроводник 88
4.2. Характеристики нормального состояния 89
4.3. Джозефсоновские сверхтоки 93
4.4. Многократные андреевские отражения 99
4.5. Взаимосвязь между джозефсоновским критическим током и плато проводимости нормального состояния 107
4.6. Дробные значения амплитуд андреевских осцилляции 109
Выводы 111
Глава 5. Спиновый транзистор на основе кремниевой квантовой ямы, ограниченной сверхпроводящими 5 - барьерами 112
5.1. Основы работы спинового транзистора 112
5.2. Экспериментальные результаты исследования характеристик спинового транзистора в условиях продольного транспорта двумерных дырок в кремниевой сандвич-структуре на поверхности Si (100) п-типа 121
Выводы 149
Заключение 150
Литература 153
Список публикаций автора по теме работы 163
