Введение
Глава 1. Синтез и свойства кристаллов слоистых соединений А3В , А5гВ з? А В 8
1.1. Краткий обзор строения, электронной структуры и химической связи в кристаллах
слоистых соединений А3В6, А5гВ6з, А4В6 10
1.1.1. Кристаллическая структура 10
1.1.2. Основные термодинамические свойства 14
1.1.3. Нестехиометрия и точечные дефекты 15
1.1.4. Особенности электронного строения 1 б
1.2. Квантово-механическое моделирование кристаллов слоистых соединений А В , А 2В з, А4В6 26
1.2.1. Методики расчёта 26
1.2.2. Результаты моделирования 28
1.3. Синтез и исследование кристаллов 31
1.3.1. Методика и результаты выращивания кристаллов 31
1.3.2. Характеристика полученных кристаллов 32
Глава 2. Получение и исследование атомарно-чистых поверхностей естественного скола слоистых соединений А3Вб, А В6, А5гВ6з 34
2.1. Литературные сведения о поверхностях слоистых соединений 37
2.1.1. Поверхности А3В6 (0001) и GaTe (1 0 -2) 37
2.1.2. Поверхности А52В63 (0001) 39
2.1.3. Поверхности А4Вб (100) 41
2.2. Квантово-механическое моделирование структуры и электронных свойств поверхностей 43
2.2.1. Методика расчёта 43
2.2.2. Результаты моделирования поверхностей GaSe (0001), InSe (0001), GaTe (1 0 -2) 44
2.2.3. Результаты моделирования ВігБез (0001), ВігТез(ОООІ) 47
2.2.4. Результаты моделирования SnX (100), X = S, Se, Те 48
2.3. Экспериментальное исследование атомарно-чистых поверхностей 52
2.3.1. Приготовление атомарно-чистых поверхностей 52
2.3.2. Методики исследования атомарно-чистых поверхностей 54
2.4. Результаты экспериментального исследования 58
2.4.1. Структура и электронное строение поверхностей GaSe (0001), InSe (0001),
GaTe (1 0 -2)
2.4.2. Структура и электронное строение поверхностей Bi2Se3 (0001), ВІ2Тез(0001) 73
2.4.3. Структура и электронное строение поверхностей SnX (100), X = S, Se, Те 76 2.5. Закономерности в изменении параметров, характеризующих образование поверхности слоистых соединений А3В6, А В , А52В з 81
Глава 3. Строение и электронная структура одномерных кристаллов соединений А3Вб, А4Вб, А52Вб3 85
3.1. Литературные сведения об одномерных кристаллах в каналах УНТ 87
3.1.1. Методы синтеза одномерных кристаллов в каналах УНТ 8 7
3.1.2. Структура одномерных кристаллов неорганических соединений 89
3.2. Квантово-механическое моделирование одномерных кристаллов 91
3.2.1 Структура, электронное строение и химическая связь в одномерных кристаллах GaSe, InSe, GaTe 92
3.2.2 Структура, электронное строение и химическая связь в одномерных кристаллах Bi2Se3, Bi2Te3 95
3.2.3. Структура, электронное строение и химическая связь в одномерных кристаллах SnX,X=S, Se,Te 98
3.3. Экспериментальное исследование одномерных кристаллов в каналах УНТ 103
3.3.1. Структура кристаллов по данным ПЭМ 104
3.3.2. Взаимодействие одномерного кристалла с УНТ: особенности электронного строения нанокомпозитов по данным спектроскопии комбинационного рассеяния, РФЭС, спектров оптического поглощения 106
3.4. Обсуждение результатов 111
Глава 4. STRONG Реакционная способность поверхностей кристаллов слоистых соединений
А3В6, А4Вб, А52В6з при взаимодействии с молекулярным кислородом STRONG 115
4.1. Литературные сведения об окислении поверхностей кристаллов слоистых соединений А3Вб, А4В6, А52В6з 116
4.2. Результаты экспериментального и теоретического исследования сравнительной реакционной способности при взаимодействии с кислородом
4.2.1. Методика экспериментального исследования 118
4.2.2. Методика квантово-химического моделирования 120
4.2.3. Результаты моделирования и их сопоставление с экспериментальными данными
4.2.3.1. Окисление поверхностей GaTe (10-2), GaSe (0001), InSe (0001) 120
4.2.3.2. Окисление поверхностей Bi2Se3 (0001), Bi2Te3(0001) 123
4.2.3.1. Окисление поверхностей SnX (100), X = S, Se, Те 125
4.2.4. Сравнение реакционной способности 138
Общее обсуждение результатов 142
Выводы 147
Список цитированной литературы
