Введение
1. Литературный обзор. 6
1.1. Представления о механизме и кинетике процессов MOCVD. 6
1.2. Сложные оксиды со структурой перовскита. Манганиты с колоссальным магнетосопротивлением. 29
1.3. Структура и сверхпроводящие свойства фаз RBa2Cu307^. 55
1.4. Монокристаллические оксидные подложки для роста пленок сложных оксидов. 73
1.5. Структура и свойства тонких оксидных пленок (эпитаксия, напряжения, взаимодействие с подложкой). 76
1.6. Постановка задач работы. 91
2. Эксперимент. 93
2.1. Получение тонких пленок сложных оксидов методом химического осаждения из паровой фазы металлоорганических соединений. 93
2.2. Методы исследования пленок. 121
2.3. Методики химического анализа керамических материалов. 129
2.4. Химическая микролитография. 132
3. Результаты и обсуждение. 136
3.1. Структура и свойства тонких эпитаксиальных пленок манганитов РЗЭ с различными типами легирования в А-подрешетку, обладающих колоссальным магнетосопротивлением. 136
3.1.1. Вакансионное легирование. 136
3.1.2. Пленки (Lai.xPrx)o тСао.зМпОз. 155
3.1.3. Манганиты легированные свинцом (пленки Ьаі.хРЬхМлОз). 188
3.1.4. Манганиты легированные натрием. 198
3.2. Структура и свойства тонких эпитаксиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников НВагСизОт-у (R = Y, Но, Lu, Gd, Nd). 202
3.2.1. Фазовые отношения в эпитаксиальных пленках ІІВагСизОт-б. 202
3.2.2. Оптимальные условия роста тонких эпитаксиальных пленок КВагСиз07-8. 239
3.2.3. Прообразы электронных тонкопленочных устройств на основе эпитаксиальных тонких пленок ЯВагСизО?^. 283
3.3. Исследование эпитаксиальных гетероструктур сложных оксидов со структурой перовскита. 291
3.3.1. Индивидуальные перовскитные слои. 292
3.3.2. Перовскитные гетероструктуры. 297
3.3.3. Многослойные гетероструктуры, полученные в режиме автокоррекции состава. 309
3.3.4. Прообразы устройств. 322
3.4. Обобщение данных по эпитаксиальной стабилизации в пленках сложных оксидов. 335
3.4.1. Термодинамическая модель стабилизации. 335
3.4.2. Использование эпитаксиальной стабилизации для получения полиморфных модификаций КВОз. 346
4. Заключение. 376
Выводы. 379
