Структурные и оптические исследования упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах AlxGa1-xAs/GaAs (100)

Середин Павел Владимирович. Структурные и оптические исследования упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах AlxGa1-xAs/GaAs (100) : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07.- Воронеж, 2006.- 133 с.: ил. РГБ ОД, 61 06-1/877
Автор
Середин Павел Владимирович
Год
2006
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
ГЛАВА 1. Литературный обзор 13
1.1 Современные методы получения эпитаксиальных структур на основе А3В5 13
1.2 Закон Вегарда и образование сверхструктурных фаз в А В 22
1.3 РІК - спектры отражения полупроводников А3В5. Фононный и плазмон — фононный резонансы 37
1.4 Выводы по главе 43
ГЛАВА 2. Объекты и методы исследования 46
2.1. Характеристики объектов по сериям ,... 46
2.2. Рентгенодифракционные методы определения параметров решетки твердых растворов в гетероструктурах на основе А3В5 48
2.2.1 Особенности дифрактометрического метода 49
2.2.2 Особенности рентгенографического метода обратной съемки 54
2.3 ИК - спектрометрия отражения 56
2.4 Атомно — силовая микроскопия (АСМ) наноструктур 62
2.5 Выводы по главе 68
ГЛАВА 3. Экспериментальные результаты рентгеноструктурных и морфологических исследований 70
3.1 Определение параметров твердых растворов с учетом упругих напряжений 70
3.2 Характер закона Вегарда в твердых расторах AlxGai.xAs 73
3.2.1 Твердые растворы AlxGai.xAs в гетероструктурах, выращенные химическим осаждением из газовой фазы металлорганических соединений 73
3.2.2 . Эпитаксиальные твердые растворы, полученные методом жидкофазной эпитаксии 76
3.3 Сверхструктурная фаза AlGaAs2 в МОС - гидридных гетероструктурах. Прецизионное определение параметров кристаллической решетки .83
3.3.1 Дифрактометрические исследования 83
3.2.2 Рентгенографические исследования. Прецизионное определение параметров 86
3.3 Результаты АСМ - исследований морфологии поверхности образцов. 89
3.4 Обсуждение результатов и выводы по главе 94
ГЛАВА 4. ИК - спектры отражения от эпитаксиальных гетероструктур AlxGa, xAs/GaAs(100) 99
4.1 Приближение однофонного резонанса для расчета спектра бинарного кристалла GaAs 99
4.2 Моделирование ИК - спектров в различных моделях. Усовершенствование модели пленка - подложка применительно к многокомпонентным системам 101
4.3 Плазмон - фононные спектры в гомоэпитаксиальных гетероструктурах. Моделирование в адиабатическом приближении и модели пленка - подложка 118
4.4 Выводы по главе 122
Заключение и выводы по диссертации 123
Литература 126

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Смоленцев Григорий Юрьевич
Количество страниц
Год
2006
99 000 UZS
Автор
Соболев Александр Сергеевич
Количество страниц
Год
2006
99 000 UZS
Автор
Соколов Виктор Федорович
Количество страниц
Год
2006
99 000 UZS
Автор
Соколовский Алексей Николаевич
Количество страниц
Год
2006
99 000 UZS
Автор
Смирнов Андрей Николаевич
Количество страниц
Год
2006
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3