Структурные, электрические, фотоэлектрические свойства кристаллов и пленок CuInSe2, полученных методами Бриджмена и двухзонной селенизацией

Гаджиев Тимур Мажлумович. Структурные, электрические, фотоэлектрические свойства кристаллов и пленок CuInSe2, полученных методами Бриджмена и двухзонной селенизацией: диссертация ... кандидата Физико-математических наук: 01.04.07 / Гаджиев Тимур Мажлумович;[Место защиты: ФГБУН «Институт физики имени Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра Российской академии наук»], 2018
Автор
Гаджиев Тимур Мажлумович
Год
2018
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
Глава 1. Получение, морфология, структура, электрофизические и фотоэлектрические свойства кристаллов и пленок CuInSe2 (литературный обзор) 16
1.1 Особенности кристаллической и зонной структур полупроводникового соединения CuInSe 16
1.2 Диаграммы состояния бинарных соединений Cu–In, Cu–Se, In–Se и системы Cu–In–Se. 19
1.3 Методы выращивания кристаллов и получения пленок CuInSe2. Выбор материала подложки и электрических контактов . 23
1.4 Морфология, химический анализ, структура кристаллов и пленок CuInSe2 40
1.5 Электрофизические и фотоэлектрические свойства кристаллов и пленок CuInSe2 46
Выводы по главе 1 58
Глава 2. Установки и подбор технологических режимов получения кристаллов трехзонным методом Бриджмена и пленок CuInSe2 методом двухзонной двухэтапной селенизации 61
2.1 Трехзонная установка, предназначенная для роста кристаллов СuInSe2 методом Бриджмена 61
2.2 Высоковакуумная термодиффузионная установка для получения пленок СuInSe2 64
2.3 Технология роста кристаллов СuInSe2 трехзонным методом Бриджмена. 68
2.4 Технология получения пленок СuInSe2 методом двухзонной двухэтапной селенизации 69
Глава 3. Морфология поверхности, химический и рентгеноструктурный анализ кристаллов и пленок CuInSe2 71
3.1 Методика исследования поверхности, химического и рентгеноструктурного анализа кристаллов и пленок CuInSe2. 71
3.2 Морфология кристаллов и пленок CuInSe2 . 72
3.3 Химический и ренгеноструктурный анализ кристаллов CuInSe2 и пленок CuInSe2. 80
3.4 Обсуждение результатов исследования морфологии поверхности, химического и рентгеноструктурного анализа кристаллов и пленок CuInSe2 85
Выводы по главе 3 88
Глава 4. Электрофизические свойства кристаллов и пленок CuInSe2. 91
4.1 Методика исследования электрофизических свойств кристаллов и пленок CuInSe2. 91
4.2 Результаты исследований электропроводности, подвижности носителей заряда и вольтамперных характеристик структур In/кристалл – CuInSe2 и In/пленка–CuInSe2. 93
4.3 Обсуждение результатов исследований электропроводности, подвижности носителей заряда и вольтамперных характеристик структур In/кристалл – CuInSe2 и In/пленка–CuInSe2. 100
Выводы по главе 4 111
Глава 5. Фотоэлектрические свойства кристаллов и пленок CuInSe2 113
5.1 Методика исследования фотоэлектрических свойств кристаллов и пленок CuInSe2. 113
5.2 Результаты исследований фотопроводимости и фотовольтаического эффекта структур In/кристалл– CuInSe2 и In/пленка – CuInSe2 . 115
5.3. Обсуждение результатов исследований фотопроводимости и фотовольтаического эффекта структур In/кристалл – CuInSe2 и In/пленка – CuInSe2. 121
Выводы по главе 5 124
Основные результаты и выводы: 127
Литература 128

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Карамов Данфис Данисович
Количество страниц
Год
2017
99 000 UZS
Автор
Щелкачев Николай Михайлович
Количество страниц
Год
2019
99 000 UZS
Автор
Щербак Сергей Александрович
Количество страниц
Год
2019
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3