Введение
Глава 1. Шеститранзисторные ячейки памяти с субмикронными проектными нормами 15 CLASS
1.1. Определение требований к статическим ОЗУ с повышенной сбоеустойчивостью к воздействию отдельных ядерных частиц 15
1.2. Методика оценки минимального напряжения сохранения данных в КМОП СБИС ОЗУ 29
1.3. Результаты моделирования шеститранзисторных ячеек памяти с проектной нормой 0,35 мкм 33
1.4. Результаты моделирования шеститранзисторных ячеек памяти с проектной нормой 0,18 мкм 41
1.5. Разработка тестовых структур для проведения экспериментальных исследований СБИС ОЗУ с субмикронными проектными нормами 51
Выводы 57
Глава 2. Ячейки памяти с повышенной сбоеустойчивостью к воздействию отдельных ядерных частиц 59
2.1. Результаты моделирования ячеек памяти с повышенной сбоеустойчивостью 59
2.2. Обоснование выбора ячейки памяти для проектирования ОЗУ с повышенной сбоеустойчивостью 69
2.3. Разработка тестовых структур для проведения экспериментальных исследований ячеек памяти с повышенной сбоеустойчивостью 72
Выводы 79
Глава 3. Особенности проектирования субмикронных КМОП статических ОЗУ с повышенной сбоеустойчивостью к воздействию отдельных ядерных частиц 81
3.1. Метод повышения сбоеустойчивости КМОП ОЗУ к воздействию отдельных ядерных частиц 81
3.2. Блоки КЭШ ОЗУ с мерами по повышению сбоеустойчивости 99
3.3. Методика расчета КМОП ОЗУ с повышенной сбоеустойчивостью с учетом затрат площади на меры по повышению сбоеустойчивости 108
3.4. КНИ КМОП СБИС ОЗУ емкостью 2 Мбит с повышенной сбоеустойчивостью к воздействию отдельных ядерных частиц 111
Выводы 120
Глава 4. Результаты экспериментальных исследований тестовых макетных образцов тестовых структур СБИС ОЗУ 122
4.1. Состав тестовых структур на основе шеститранзисторных ячеек памяти 122
4.2. Результаты экспериментальных исследований макетных образцов тестовых структур СБИС ОЗУ на основе шеститранзисторных ячеек памяти 123
4.3. Состав тестовых структур на основе ячеек памяти с повышенной сбоеустойчивостью 133
4.4. Результаты экспериментальных исследований макетных образцов тестовых структур СБИС ОЗУ с повышенной сбоеустойчивостью 134
Выводы 138
Заключение 140
Список использованной литературы 142
