Свойства гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si, полученных химическим газотранспортным методом, и тензопреобразователи на их основе

Фридман Татьяна Петровна. Свойства гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si, полученных химическим газотранспортным методом, и тензопреобразователи на их основе : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10.- Самара, 2002.- 146 с.: ил. РГБ ОД, 61 03-1/395-4
Автор
Фридман Татьяна Петровна
Год
2002

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Люминесцентное детектирование неравновесных фононов в полумагнитных квантовых ямах
99 000 UZS
Автор
Щербаков Алексей Валерьевич
Количество страниц
Год
2002
Фотоэлектрические процессы в объемных каналах полупроводниковых структур
99 000 UZS
Автор
Гордо Наталья Михайловна
Количество страниц
Год
2001
Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктурыпа основе широкозонных соединений А2 В6(основы технологии получения методоммолекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств)
99 000 UZS
Автор
Иванов, Сергей Викторович
Количество страниц
Год
2000
Экстремальные токи в полупроводниковых структурах
99 000 UZS
Автор
Ищук, Лариса Вадимовна
Количество страниц
Год
2000
Исследование влияния добавок Pb, Sn, Tl, Bi на электрофизические свойства систем Ge-Se и Ga-Te
99 000 UZS
Автор
Дьяков, Сергей Николаевич
Количество страниц
Год
2000
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3