Введение
Глава 1. Анализ современного состояния технологии разделения приборных пластин на кристаллы 22 23
1.1. Операция резки приборных пластин на кристаллы и ее роль в микроэлектронике
1.2. Основные технологические операции, предшествующие резке приборных пластин на кристаллы
1.2.1. Приклеивание приборной пластины на диск-носитель и ее последующее отклеивание
1.2.2. Шлифование и полирование приборной пластины 28
1.3. Современные методы резки приборных пластин на кристаллы 33
1.3.1. Механические методы резки приборных пластин 34
1.3.1.1. Алмазное скрайбирование 34
1.3.1.2. Резка дисками с алмазной режущей кромкой 36
1.3.2. Лазерные методы резки приборных пластин 38
1.3.2.1. Лазерное скрайбирование 38
1.3.2.2. Лазерная абляция 44
1.3.2.3. Stealth Dicing 45
1.3.2.4. Технология Laser MicroJet 47
1.3.2.5. Лазерное управляемое термораскалывание
1.4. Монолитные интегральные схемы, изготовленные на приборных пластинах сапфира и карбида кремния Выводы и постановка задачи 65
Глава 2. Определение границ конечной толщины приборных пластин сапфира и карбида кремния с изготовленными на них СВЧ МИС на 70 гетероструктурах AlGaN/GaN
2.1. Распределение температуры кристалла СВЧ МИС в зависимости от типа материала и толщины подложки
2.2. Определение величины прогиба приборной пластины в зависимости от типа материала и толщины подложки
2.3. Определение допустимых границ конечной толщины для приборных пластин сапфира и карбида кремния с изготовленными на них СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN
Выводы 86
Глава 3. Разработка решения для надежной защиты СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN при операциях шлифования, полирования и резки на кристаллы
Выводы
Глава 4. Определение режимов одностороннего шлифования и полирования свободным абразивом обратной стороны приборных пластин сапфира и карбида кремния с изготовленными СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN
Выводы 111
Глава 5. Резка приборных пластин сапфира и карбида кремния с изготовленными на них СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN на отдельные кристаллы и анализ влияния комплекса разработанных решений на электрофизические параметры изделий
5.1. Резка приборных пластин сапфира на кристаллы СВЧ МИС методом лазерного управляемого термораскалывания
5.2. Анализ влияния разделения на кристаллы СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN, изготовленных на приборных пластинах сапфира, с применением метода лазерного управляемого термораскалывания на выход годных кристаллов и электрофизические параметры СВЧ МИС
5.4. Анализ влияния разделения на кристаллы СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN, изготовленных на приборных пластинах карбида кремния, с применением метода дисковой резки на выход годных кристаллов и электрофизические параметры СВЧ МИС
Выводы 143
Заключение 146
Список литературы
