Введение
ГЛАВА 1. Формирование и самоорганизация одно- и двумерных наноструктур на поверхности: экспериментальные и теоретические исследования
1.1. Подходы к созданию наноструктур на поверхности 7
1.2. Физические принципы работы САМ 9
1.3. Формирование наноструктур с помощью СТМ 15
1.4. Рост наноструктур (нанопроводов, нанохластеров) в процессе атомной самоорганизации 23
Глава 2. Теоретические методы исследования роста, самоорганизации и термодинамических свойств наноструктур на поверхности 44
2.1 Методы расчета квантово-механических свойств наноструктур из первых принципов: теория функционала электронной плотности 44
2.1.1. Теорема Хоэнберга-Кона 45
2.1.2. Уравнения Еона-Шема 47
2.1.3. Приближение локальной спиновой плотности. 48
2.1.4. Пакет первопринщшных расчетов VASP 49
2.2. Метод молекулярной динамики и межатомные потенциалы 50
2.2.1 Межатомные потенциалы взаимодействия 52
2.2.2. Метод молекулярной динамики 56
2.3. Метод кинетического Манте Карло 57
Глава 3. Самоорганизация и рост атомных проводов на металлических поверхностяхщк (И) .. 64
3.1. Основные атомные события, определяющие рост нанопроводов на поверхностях ЩК(110) 65
3.2. Моделирование роста наноструктур в процессе напыления Со и Fe на Pd(l 10) методом кинетического Монте-Карло: зависимость морфологии поверхности от температуры и скорости напыления 73
3.3. Исследование устойчивости морфологии поверхностных наноструктур по отношению к вариациям входных параметров модели 85
Глава 4. Рост нанокластеров на поверхности металлов (110) в процессе атомной самоорганизации 88
4.1. Атомшдесобьггая, определяющие рост Со та поверхности Cu(l 10) 89
4.2. Моделирование эпитаксиального роста Со на Си(110) при комнатной температуре. Исследование влияния мезосколических релаксаций на морфологию поверхности 97
4.3. Сравнительный анализ роста Со на Cu(110) и Со на Pd(l 10) 108
Глава 5. Применение медода молекулярной динамики для расчета термодинамических свойств объемных кристаллов и нанокластеров на поверхности . 112
5.1. Расчет термодинамических свойств меди методом молекулярной динамики 112
5.2. Расчет температуры плакпеншЕнанакластерав Си на Си( 100) 116
Основные результаты н выводы... 123
Литература 125
Благодарности140
