Теория и моделирование биполярных полупроводниковых переключателей силовой микроэлектроники

Гусин, Дмитрий Вадимович. Теория и моделирование биполярных полупроводниковых переключателей силовой микроэлектроники : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Гусин Дмитрий Вадимович; [Место защиты: Физ.-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе РАН].- Санкт-Петербург, 2012.- 175 с.: ил. РГБ ОД, 61 12-1/1195
Автор
Гусин, Дмитрий Вадимович
Год
2012

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией оптоэлектронных гетероструктур на основе широкозонных соединений (AlGaIn)N
99 000 UZS
Автор
Жмерик Валентин Николаевич
Количество страниц
Год
2012
Перенос заряда в системе квантовых точек германия в кремнии
99 000 UZS
Автор
Коптев, Евгений Сергеевич
Количество страниц
Год
2012
Создание и исследование наногетероструктур в узкозонных системах на основе арсенида индия
99 000 UZS
Автор
Романов, Вячеслав Витальевич
Количество страниц
Год
2013
Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя
99 000 UZS
Автор
Тимошнев, Сергей Николаевич
Количество страниц
Год
2011
Преципитация бора в кремнии при имплантации и отжиге : расслоение на стадии Оствальдовского созревания
99 000 UZS
Автор
Феклистов, Константин Викторович
Количество страниц
Год
2011
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3