Введение
Глава 1. Постановка вопроса и обоснование направле ния исследований 1 6
1.1. Обзор литературных данных и анализ свойств полупроводников группы АIIВV. Диаграммы состояния 16
1.2. Кристаллические структуры соединений полупроводников группы АIIВV и соединений Ni As, Ni As2, NiSb 23
1.3 Диаграммы состояния систем Cd-Sb 27
1.3.1 Кристаллографические структуры интерметаллидов 30
1.4 Физико–химические и электрические свойства полупроводниковых соединений группы АIIВV (Cd-Sb, Ni-Sb) 33
1.4.1 Диаграммы состояния систем Cd-Аs, Cd-Sb, Ni-Аs, Ni-Sb, Cd3As2, NiAs 37
1.5. Обзор методов изучения теплофизических свойств материалов 39
Глава 2. Экспериментальные установки для измерения теплофизических свойств полупроводниковых систем 48
2.1 Экспериментальные установки для измерения теплофизи ческих свойств (теплопроводность, удельная теплоёмкость) твердых тел 48
2.2 Методика измерения теплопроводности и удельной теплоёмкости твердых сплавов 54
2.3 Расчётные формулы для вычисления теплофизических свойств твердых тел по данным опыта 55
2.4 Описание экспериментальной установки для измерения температуропроводности зернистых материалов и порош ков в широком диапазоне температур и давлений 55
2.5 Методика измерения температуропроводности зернистых материалов и порошков 59
2.6 Экспериментальная установка для комплексного определения теплофизических свойств веществ при различных темпе-ратурах и давлениях 61
2.7 Экспериментальная установка для измерения плотности жидкостей и их паров на линии насыщения 63
2.8 Измерительные устройства для экспериментальной установки для исследования плотности паров и жидкостей 67
2.9 Расчетное уравнение метода гидростатического взвешивания с учетом конструктивных особенностей 69
2.10 Определение параметров подвесной системы эксперимен-тальной установки 72
2.11 Порядок проведения опытов на экспериментальной установке 74
2.12 Определение погрешности измерения плотности 77
2.13 Определение погрешности измерения теплофизических свойств веществ 78
Глава 3. Теплофизические и термодинамические свойства полупроводниковых материалов в зависимости от температуры и давления 85
3.1 Теплопроводность исследуемых порошков и монолитов полупроводниковых материалов системы CdSb-NiSb2 при различных температурах 85
3.2 Температуропроводность системы CdSb-NiSb2 при различ ных температурах 90
3.3 Теплоёмкость и плотность порошковых и монолитов полу
проводниковых систем СdSb-NiSb2 в зависимости от темпе ратуры
3.4 Влияние концентрация мелкодисперсных полупроводниковых систем CdSb-NiSb2 на изменение теплофизических и термодинамических свойств диметилгидразина в зависимости от давления и температуры .
3.5 Теплопроводность несимметричного диметилгидразина при различных концентрациях порошка, температуры и давления .
3.6 Влияние температуры, давления и концентрации порошков полупроводниковых систем CdSb-NiSb2 на изменение теплоёмкости несимметричного диметилгидразина
3.7 Влияние концентрации порошков полупроводниковых систем CdSb-NiSb2 на изменение температуропроводности, реологических свойств несимметричного диметилгидрази-на. Расчет чисела подобия для исследуемых образцов .
3.8 Влияние концентрация порошка композита CdSb-NiSb2 на изменение плотности несимметричного диметилгидразина приразличных температурах и давлениях .
3.9 Расчёт термодинамических функций растворов системы несимметричный диметилгидразин + порошок полупроводникового материала системы CdSb-NiSb2 при различных температурах и давлениях
Глава 4. Обработка и обобщение экспериментальных данных по теплофизическим (температуропро дность, теплопроводность и теплоемкость) свойствам полупроводниковых материалов и их растворов
4.1 Температурапроводность, теплоемкость, теплопроводность и плотнось исследуемых образцов в зависимости от температуры 120
4.2. Обработка и обобщение экспериментальных данных тепло-ёмкости, теплопроводности, температуропроводности и плотности несимметричного диметилгидразина в зависимости от температуры, давления и концентрации порошков полупроводникового материала системы СdSb-NiSb2 122
4.3. Уравнение состояния исследуемых образцов 126
4.4. Расчет калорических свойств системы несимметричный димметилгидразин+нанопорошок полупроводниковых материалов системы CdSb-NiSb2 (от 0,5 до 2,5%) при высоких температурах и давлениях .
Выводы 133
Литература
