Введение
ГЛАВА I. Анализ научно-технической литературы о работе выхода электрона и влиянии на неё подсистемы дефектов твёрдого тела 12
1.1. Определение понятия работы выхода электрона 12
1.2. Методы и модели для расчета работы выхода электрона .18
1.3. Метод функционала плотности и его применение к расчету работы выхода электрона 26
1.4. Работа выхода электрона неоднородной поверхности 36
1.5. Влияние дефектно-деформационных состояний на работу выхода электрона 46
1.6. Постановка задач диссертации 60
ГЛАВА 2. Термодинамический анализ понятия работы выхода электрона 62
2.1. О термодинамическом описании электронной подсистемы твердого тела 62
2.2. Работа выхода в равновесных термодинамических процессах .67
2.3. Температурные коэффициенты работы выхода 70
2.4. Связь электрохимического потенциала и сжимаемости. О соотношении поверхностного и объемного вкладов в работу выхода .71
2.5. Влияние неравновесности на работу выхода электрона 75
2.6. Краткие 75
ГЛАВА 3. Туннелирование элжтрона в потенциальную стенку и прохождение электрона через неё. расчёт дипольной составля ющей работы выхода электрона 77
3.1. Туннелирование электрона в прямоугольную потенциальную стенку и прохождение электрона через нее 77
3.2. Прохождение электрона через двухступенчатую стенку
3.3. Квантовомеханическая статистическая модель образования двойного электрического слоя на поверхности металла. Расчет дипольной составляющей работы выхода электрона 83
3.4. Зависимость дипольной составляющей работы выхода электрона от объемной составляющей работы выхода электрона 90
3.5. Краткие выводы 90
ГЛАВА 4. Полуэмпирическая теория анизотропии работы выхода электрона 92
4.1. Вводные замечания 92
4.2. Расчет ретикулярной плотности кристаллических граней в
двух безразмерных формах: внутриструктурной и униструктурной .93
4.3. Исследование закономерностей зависимости работы выхода электрона от ретикулярной плотности кристаллических граней 104
4.4. Расчет коэффициента эмиссионной анизотропии и объемной составляющей работы Еыхода электрона металлов 116
4.5. Расчет коэффициентов ретикулярного уплотнения граней ГПУС 122
4.6. Корреляция работы выхода и эффективного коэффициента поверхностной компактности граней металлических кристаллов 126
4.7. Краткие выводы 130
ГЛАВА 5. Дефектно-деформационные состояния в об еме и около и на поверхности твёрдого тела и их влияние на работу выхода электрона 133
5.1. Методика расчета упругих полей дефектов и энергии их взаимодействия и самодействия в неограниченной среде 133
5.2. Метод поверхностной дислокации Сомилианы в решении граничной задачи теории дефектов 138
5.3. Решение граничной задачи для полупространства 142
5.4. Энергия упругого взаимодействия дефектов в полупространстве 143
5.5. Поверхностные силы и поверхностные смещения для центра дилатации и основных дислокационных конфигураций 5.6. Влияние поверхности на изменение околодислокационных атмосфер Коттрелла 147
5.7. Центры дилатации около поверхности. Эффект самосегрегации примесей и точечных дефектов 154
5.S. Зависимость работы выхода электрона от дефектно-дефор мационных состояний твердого тела и его поверхности 157
5.9. Краткие выводы 162
ГЛАВА 6. Параметр работы выхода электрона в ионной спектроскопии 164
6.1. О роли параметра работы выхода в ионной спектроскопии 164
6 2. Экспериментальное исследование примесных неоднороднос тей в полупроводниковых структурах методом МСВИ .168
6.3. Краткие выводы I7S
Литература 1
