Введение
Глава 1. Обзор литературы 13
1.1. Условия резонансного туннелирования 13
1.2. Взаимосвязь магнитной и электронной подсистем в ферромагнитных полупроводниках: влияние ориентации спина туннелирующего электрона на амплитуду прохождения электронной волны 30
1.3. Расчёт туннельной прозрачности наноразмерных гетеросистем EuS/PbS методом матрицы рассеяния 35
1.4. Влияние электрон-фононного, электрон-магнонного взаимодействия на резонансное туннелирование и расчёт прозрачности барьеров методом туннельного гамильтониана 46
Глава 2. Упругое резонансное туннелирование в сверхрешётке EuS/PbS 51
2.1. Общее выражение туннельного гамильтониана для определения прозрачности ферромагнитных барьеров в наносистеме EuS/PbS 51
2.2. Расчёт туннельной прозрачности барьера из ферромагнитного проводника 55
Глава 3. Неупругое резонансное туннелирование в ферромагнитных барьерах сверхрешёток EuS/PbS 61
3.1. Анализ процесса туннелирования в наноразмерных гетеросистемах EuS/PbS в приближении магнитного полярона 61
3.2. Анализ влияния электрон-магнонного взаимодействия на транспортные свойства, носителей тока в спин-волновом приближении 67
Глава 4. Взаимодействие спинполяронов с магнонами в ферромагнитных барьерах сверхрешёток EuS/PbS 74
4.1. Фазовый сдвиг электронных волновых функций при резонансном туннелировании в нанослояхЕи8 74
4.2. Магнитополяронный сдвиг резонансных уровней в ферромагнитных барьерах 77
4.3. Анализ поведения наблюдаемых характеристик при туннелировании через барьерные слои EuS 93
Общие выводы 100
Литература 104
