Введение
Глава 1. Исследование процессов в полупроводниковой структуре диода с накоплением заряда в режиме переключения 19
1.1. Процессы накопления неосновных носителей заряда в полупроводниковой структуре диода 20
1.2. Параметры диодов с накоплением заряда .-..25
1.3. Процессы, протекающие в полупроводниковой структуре диода с накоплением заряда при генерации сверхкоротких импульсов 27
1.4. Экспериментальное исследование переходных процессов в диодах с накоплением заряда в режиме переключения 36
1.5. Методика измерения параметров ДНЗ 46-
Выводы 52
Глава 2. Моделирование диодов с накоплением заряда 53
2.1. Анализ методов моделирования ДНЗ 53
2.2. Математическая модель ДНЗ, учитывающая процессы рекомбинации и утечки носителей зарядов в сильнолегированные области полупроводниковой стуктуры 57
2.3. Моделирование процессов в полупроводниковой структуре ДНЗ при помощи САПР 62
2.4. Определение модельных параметров ДНЗ-по экспериментальным данным 66
2.5. Определение модельных параметров диода с накоплением заряда 2А609Б ..68
Выводы 73
Глава 3. Генераторы сверхкоротких импульсов с индуктивным накопителем энергии 74
3.1. Схемы генерации СКИ. Процессы, ограничивающие амплитуду и частоту повторения генерируемых СКИ 75
3.2. Генерация СКИ с длительным накоплением заряда 81
3.3. Способ генерации СКИ с одновременной накачкой заряда ДНЗ и накоплением магнитной энергии 91
Выводы 97
Глава 4. Тестирование стойкости элементной базы к воздействию импульсных помех 98
4.1. Обратимые отказы, возникающие при воздействии импульсной помехи на МШУ 100
4.2. Методика автоматизированного тестирования полупроводниковой электронной элементной базы на стойкость к импульсным воздействиям .. 103
4.3. Экспериментальное исследование стойкости полевых транзисторов с затвором Шоттки 112
Выводы 121
Заключение 122
Библиографический список использованной литературы 125
