Введение
Глава 1. Физические механизмы порождения флуктуации максимальной электронной концентрации, частоты экранирования и предельной частоты слоя es 14
1.1. Механизм образования и вероятностное распределение максимальной электронной концентрации слоя es 14
1.2. Вероятностные законы распределения максимума ионизации слоя es с учетом граничных условий 24
1.3. Определение некоторых интегральных параметров слоя es по наблюдаемым данным 31
1.4. Функции распределения частоты экранирования и предельной частоты слоя es 34
1.5. Граница применимости модели случайного процесса коши для максимальной электронной концентрации слоя es 42
Выводы 53
Глава 2. Различение гипотез о одномерных законах распределения параметров слоя es 54
2.1. Различение гипотез о нормальном или коши-распределении выборки 54
2.2. Различение гипотез о функции распределения частоты экранирования слоя es
Ионосферы без учета аномальных выбросов 61
2.3. Различение гипотез о логарифмически нормальном или вейбулловском распределении выборки : 65
2.4. Различение гипотез о распределении выборки по закону лапласа или коши 72
2.5. Различение гипотез о нормальном или лапласовском распределении выборки 80
Выводы . 86
Глава 3. Построение статистических моделей параметров слоя es по экспериментальным данным 87
3.1. Заполнение пропусков в случаино-цензурированных выборках частоты экранирования и
Предельной частоты .87
3.2. Прогноз нелинейных временных рядов через взвешенную сумму одномерных регрессий 102
3.3 потенциальные прогностические возможности авторегрессионных моделей 106
3.4. Время предсказуемости и порядок дифференциального уравнения частоты экранирования и предельной частоты слоя es 115
3.5. Статистические модели частотных параметров слоя es 120
3.6. Диапазон полупрозрачности слоя es и его прогноз 126
3.7. Прогноз огибающей укв-сигнала, отраженного от слоя es 135
Выводы 142
Глава 4. Исследование свойств вероятностной модели максимальной электронной концентрации слоя es 143
4.1. Вероятностная модель линейного марковского симметричного устойчивого процесса 143
4.2. Моделирование симметричных устойчивых случайных величин и процессов 154
4.3. О сложности отличить устойчивую случайную величину с бесконечной дисперсией от стандартной гауссовской случайной величины 158
4.4. Оценки по методу моментов параметров симметричных устойчивых распределений 163
4.5. Характеристики парной взаимосвязи случайных величин из распределений с тяжелыми хвостами 168
4.6. Характеристики частной и множественной связи случайных величин из распределений с тяжелыми хвостами 175
4.7. Прогноз симметричных устойчивых процессов авторегрессии 179
4.8. Заполнение пропусков в марковских симметричных устойчивых временных рядах 185
4.9. Вероятности достижения границ симметричным устойчивым случайным процессом с независимыми приращениями 188
Выводы 192
Глава 5. Вероятности существования и прогноз частотных параметров ионосферного канала распространения радиоволн через слой es 194
5.1. Точечный и интервальный прогноз частоты экранирования и предельной частоты слоя es 194
5.2. Теоретическое описание вероятностей экранировок и отражений от слоя es 200
5.3. Определение частоты экранирования, предельной частоты, максимальной экранирующей частоты и максимальной применимой частоты слоя es 207
5.4. Прогноз максимальной экранирующей и максимальной применимой частот слоя es 214
5.5. Вероятности существования и отсутствия ионосферных каналов связи через слой es и вышележащие слои 218
Выводы 222
Заключение .223
Список литературы
