Влияние дизайна метаморфного буфера на электрофизические и структурные свойства эпитаксиальных метаморфных НЕМТ наногетероструктур In0.7Al0.3As/In0.7Ga0.3As/In0.7Al0.3As на подложках GaAs и InP
Пушкарев Сергей Сергеевич. Влияние дизайна метаморфного буфера на электрофизические и структурные свойства эпитаксиальных метаморфных НЕМТ наногетероструктур In0.7Al0.3As/In0.7Ga0.3As/In0.7Al0.3As на подложках GaAs и InP: автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук: 05.27.01 / Пушкарев Сергей Сергеевич;[Место защиты: Московский государственный технический университетрадиотехники, электроники и автоматики].- Москва, 2013
