Введение
Глава I. Обзор литературы 12
1.1. Физические свойства кристалла триглицинсульфата 13
1.2. Влияние дейтерирования на свойства сегнетоэлектрических кристаллов. Дейтерированный аналог кристалла ТГС 21
1.3. Диэлектрические свойства облученных и примесных кристаллов ТГС и ДТГС 24
1.4.ГТроцессы переполяризации в сегнетоэлектриках 29
1.5. Радиационные дефекты 38
1.5.1. Явления, наблюдаемые при электронной бомбардировке твердых тел 40
1.5.2. Электронное воздействие на сегнетоэлектрические кристаллы 42
1.6.Сильноточное импульсное электронное облучение 51
1.6.1. Применение импульсного сильноточного источника электронов и ионов в экспериментах по облучению и модификации свойств твердых тел 52
Постановка задачи . 55
Глава II. Экспериментальные установки. Методики обработки результатов.56
2.1. Метод эффекта Баркгаузена 56
2.2. Экспериментальная установка для получения электронных и ионных пучков 57
2.3. Установка для исследования релаксации диэлектрической проницаемости в кристаллах ТГС при коммутации внешнего электрического поля 59
2.6. Погрешности измерений 62
ГЛАВА III. Экспериментальные результаты исследования влияния облучения сильноточным импульсным пучком электронов на пере поляризацию кристаллов ТГС и ДТГС, их обсуждение и выводы 63
3.1. Релаксация диэлектрической проницаемости при коммутации внешнего электрического ПОЛЯ 63
3.2. Влияние облучения импульсным пучком электронов на процессы переполяризации кристаллов ТГС и ДТГС 66
3.2.1. Исследование влияния облучения СЭП на релаксационные процессы в кристаллах ТГС методом эффекта Баркгаузена 67
3.2.2. Исследование влияния облучения СЭП на динамику доменной структуры кристаллов ТГС и ДТГС методом эффекта Баркгаузена 70
3.3. Расчет функции распределения времен релаксации 80
3.3.1. Результаты расчета функции распределения времен релаксации 82
3.4. Теоретическое описание процессов переполяризации 86
Список литературы 96
Приложение 1 114
