Введение
Глава 1. Материалы для сборки ППИ на основе широкозонных полупроводников 11
1.1. СВЧ транзисторы на основе нитрида галлия 11
1.1.1. Нитрид галлия в производстве полупроводниковых изделий 11
1.1.2. СВЧ транзисторы на основе нитрида галлия 14
1.1.3. Металлизация кристаллов GaN для сборки СВЧ транзисторов 16
1.2. Карбид кремния в производстве полупроводниковых изделий 17
1.2.1. Диоды Шоттки на основе SiC 18
1.2.2. Корпуса для диодов Шоттки на основе SiC 20
1.2.3. Покрытия кристаллов карбида кремния и корпусов для сборки полупроводниковых приборов 21
1.2.4. Особенности сборки силовых полупроводниковых приборов на основе карбида кремния 24
1.3. Методы, приборы и оборудование, используемые для проведения экспериментов 26
Выводы и постановка задач для исследований и разработок 27
Глава 2. Монтаж кристаллов и внутренних выводов в СВЧ транзисторах на основе нитрида галлия 29
2.1. Пайка кристаллов с образованием эвтектики Si-Au 29
2.2. Корпуса для мощных СВЧ транзисторов 31
2.3. Припой 80Au20Sn для пайки кристаллов СВЧ транзисторов 39
2.3.1. Исследование смачиваемости и растекания припоя 80Au20Sn по паяемой поверхности позолоченных корпусов КТ-81С и КТ-55С-1 41
2.4. Пайка кристаллов GaN с использованием припоя 80Au20Sn 52
2.5. Конструкции инструментов для ТЗС золотой проволокой 58
2.6. Выбор оптимальных режимов термозвуковой сварки золотой проволоки с золотой металлизацией кристалла 61
2.7. Формирование внутренних соединений в СВЧ транзисторах на основе GaN 65
2.8. Исследование электрических параметров транзисторов ПП9139А1 66
2.9. Оценка качества напайки кристаллов транзисторов измерением теплового сопротивления «кристалл-корпус» 70
Выводы 72
Глава 3. Монтаж кристаллов и внутренних выводов в полупроводниковых приборах на основе карбида кремния 74
3.1. Монтаж кристаллов в силовых полупроводниковых приборах на основе карбида кремния 74
3.2. Сварка внутренних выводов в силовых полупроводниковых приборах 75
3.3. Монтаж кристаллов и внутренних выводов в силовых полупроводниковых приборах на основе карбида кремния 76
3.4. Сборка силовых полупроводниковых приборов на основе SiC в радиационностойких корпусах 80
3.4.1 Предлагаемая конструкция корпуса на основе алюминия 84
3.5. Исследование коррозионной стойкости алюминиевой металлизации кристаллов и корпусов полупроводниковых изделий 86
Выводы 91
Глава 4. Практическое применение результатов исследований в производстве полупроводниковых изделий микроэлектроники 93
4.1. Медная металлизация с никелевым соединительным слоем в производстве полупроводниковых приборов 93
4.2. Исследование микротвердости медной металлизации с никелевым соединительным слоем 97
4.3. Выбор режимов приварки Au проволоки к металлизации Cu-Ni расщепленным электродом 99
4.4. Приборы на основе GaN в изделиях оптоэлектроники 101
4.4.1. Волоконно-оптическая система передачи информации со спектральным уплотнением 102
Выводы 104
Заключение 105
Литература 107
Приложение : Акт об использовании результатов диссертации на предприятии микроэлектроники 1
