Введение
Глава 1. Соединения A3B5, гетероструктуры на их основе и металлические контакты к полупроводникам в современной микро- и наноэлектронике 14
1.1. Применение соединений A3B5 и тонких металлических слоев 14
1.2. Методы роста полупроводниковых и металлических слоев. Молекулярно-лучевая эпитаксия 15
1.3. Атомные процессы на поверхности подложки во время роста 20
1.4. Структура эпитаксиальных слоев 23
1.5. Применение просвечивающей электронной микроскопии для исследования полупроводниковых структур и тонких слоев 28
1.6. Выводы по главе 31
Глава 2. Просвечивающая электронная микроскопия 33
2.1. Приготовление образцов 33
2.2. Взаимодействие электронов с веществом 39
2.2.1. Упругое рассеяние 40
2.3. Устройство и формирование изображения в просвечивающем электронном микроскопе 43
2.3.1. Метод слабого пучка 49
2.3.2. Муаровый узор 51
2.4. Высокоразрешающая электронная микроскопия 53
2.4.1. Моделирование высокоразрешающих изображений 54
2.4.2. Цифровая обработка высокоразрешающих изображений 57
2.5. Выводы по главе 61
Глава 3. Электронно-микроскопические исследования структуры слоя алюминия на вицинальной поверхности арсенида галлия 63
3.1. Образцы для исследований 64
3.2. Электронографические исследования и светлопольная микроскопия 65
3.3. Количественный анализ темнопольных микрофотографий 69
3.4. Высокоразрешающая электронная микроскопия образцов поперечного сечения
3.4.1. Кристаллическая структура зерен алюминия 76
3.4.2. Влияние атомных ступеней на поверхности подложки на структуру зерен алюминия 78
3.4.3. Анализ дислокаций несоответствия на границе раздела алюминия и арсенида галлия 81
3.5. Выводы по главе 95
Глава 4. Исследование деформаций и определение состава частично релаксированного слоя арсенида индия-алюминия на подложке рсенида галлия 98
4.1. Образцы для исследований 98
4.2. Анализ электронограмм и изображений с дифракционным контрастом образца планарного сечения 101
4.3. Высокоразрешающая электронная микроскопия приграничных областей структуры InAlAs/GaAs
4.3.1. Дислокации несоответствия на границе раздела InAlAs/GaAs 107
4.3.2. Экспериментальное определение вариаций параметров кристаллических решеток слоя InAlAs и подложки GaAs вблизи границы раздела 109
4.3.3. Сравнение вариаций параметров решеток в приграничной области с теоретической моделью ван дер Мерве 115
4.3.4. Определение состава слоя InAlAs 118
4.4. Выводы по главе 121
Заключение 123
Список литературы 126
