Введение
Глава I. ВЛИЯНИЕ ДАВЛЕНИЯ НА СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ И ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ 7
1.1. Теоретическое описание влияния давления на сегнетоэлектрический фазовый переход 7
1.2.Влияние давления на сегнетоэлектрический фазовый-
переход и ширину запрещенной зоны сегнетоэлектриков. Экспериментальные результаты 16
а) перовскитовые сегнетоэлектрики 16
б) узкощельные сегнетоэлектрики-полупроводники 33
в) слоистые кристаллы 39
1.3.Водород и гелий в кристаллах. Растяжение решетки. 42
1.4.Постановка задачи 47
Глава 2. МЕТОДЖА ИЗМЕРЕНИЙ 50
2.1. Аппаратура высокого давления 51
а) электрические измерения 56
б) оптические измерения 60
2.2.Измерение давления и температуры в камерах высокого давления. Оценка погрешностей измерений 63
2.3.Внедрение гелия в изучаемые образцы. Рентгенографическое определение параметров решетки 67
2.4.Приготовление образцов к измерениям 70
2.5.Методика определения сегнетоэлектрических характеристик проводящих образцов 75
Глава 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ 81
3.1. Воспроизведение результатов исследований зависимости температуры сегнето электрического фазового перехода ВаТі03 от давления 81
3.2.Зависимость температуры фазового перехода в
Р6, xGexTe от давления и концентрации носителей. 82
3.3.Влияние гидростатического сжатия на фазовый переход в слоистом сегнетоэлектрике
3.4.Влияние отрицательного давления на фазовый переход в сегнетоэлектриках SiaTa207 91
3.5.Влияние давления на ширину запрещенной зоны SlaTdgOf и других сегнетоэлектриков 103
Глава 4. ОБСУВДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ 107
4.1 Выводы межзонной модели сегнетоэлектричества, которые могут быть использованы для интерпретации полученных в работе результатов 107
4.2.Сравнение экспериментальных результатов с теорией ПО
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 120
ЛИТЕРАТУРА 124
