Введение
Глава 1. Физика фотоэлектрического эффекта 8
1.1. Уравнения, описывающие фотоэлектрический эффект в твердотельных структурах 8
1.2. Генерация и рекомбинация носителей заряда 10
1.3. Механизм транспорта носителей заряда в структурах с п- и р- областями... 13
1.4. Факторы, ограничивающие эффективность фотоэлектрических преобразователей 17
1.5. Высокоэффективные кремниевые фотоэлектрические преобразователи 24
1.6. Выводы к главе 1 33
Глава 2. Влияние поверхностных состояний на область пространственного заряда фотоэлектрических структур 35
2.1. Область пространственного заряда п-р-перехода 35
2.2. Влияние поверхностных состояний на область пространственного заряда п-р-перехода
2.3. Зависимость тока короткого замыкания от неравновесной плотности поверхностного заряда 45
Выводы к главе 2 51
Глава 3. Измерение спектральной чувствительности фотоэлектрических преобразователей 52
3.1. Анализ методик измерения спектральной чувствительности 52
3.1.1. Измерение спектральной чувствительности с использованием импульсного источника света 52
3.1.2. Измерение спектральной чувствительности с использованием монохроматора и дополнительной подсветки 56
3.2. Автоматизация измерения спектральной чувствительности фотоэлектрических преобразователей 59
3.2.1. Универсальный измерительный спектральный комплекс 59
3.2.2. Программируемый контроллер сбора и первичной обработки информации 62
3.3. Программа управления программируемым контроллером сбора и первичной обработки информации 65
3.4. Экспериментальные результаты и погрешности измерений 73
3.5. Выводы к главе 3 77
Глава 4. Собирание фотогенерированных носителей заряда в структурах с двусторонней чувствительностью 79
4.1. Модель собирания фотогенерированных носителей заряда в структурах с двусторонней чувствительностью 79
4.2. Измерение коэффициента отражения двусторонних фотоэлектрических преобразователей 88
4.3. Определение параметров вольт-амперной характеристики двусторонних фотоэлектрических преобразователей 93
4.4. Определение расположения локальных шунтов методом термографии 99
Ф 4.5. Влияние неравновесного поверхностного заряда на ток короткого замыкания 103
4.6. Влияние неравновесного поверхностного заряда на коэффициент собирания двусторонних фотоэлектрических преобразователей 108
4.7. Выводы к главе 4 120
Заключение 124
Приложение 1. Описание основных узлов платы процессора 127
Приложение 2. Описание основных узлов и функций платы сопряжения с цифровыми приборами 137
Приложение 3. Описание основных узлов блока сопряжения с шаговым двигателем и ЦАП 140
Список литературы
