Влияние рентгеновского излучения на параметры полупроводниковых изделий

Антонова, Екатерина Александровна. Влияние рентгеновского излучения на параметры полупроводниковых изделий : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.01 / Антонова Екатерина Александровна; [Место защиты: Воронеж. гос. техн. ун-т].- Воронеж, 2013.- 107 с.: ил. РГБ ОД, 61 13-5/2253
Автор
Антонова, Екатерина Александровна
Год
2013

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Исследование и разработка процесса формирования пленок поликристаллического кремния с полусферическими зернами для конденсатора с повышенной емкостью
99 000 UZS
Автор
Новак Андрей Викторович
Количество страниц
Год
2014
Ближнеполевая СВЧ - микроскопия и её и спользование для определения характеристик элементов твердотельной СВЧ электроники
99 000 UZS
Автор
Фадеев Алексей Владимирович
Количество страниц
Год
2014
Конверсионная модель эффекта низкой интенсивности в биполярных интегральных микросхемах космического назначения
99 000 UZS
Автор
Бакеренков, Александр Сергеевич
Количество страниц
Год
2013
Томографический анализ данных в задачах квантовой информатики
99 000 UZS
Автор
Гавриченко, Александр Константинович
Количество страниц
Год
2013
Исследование эффективности низкотемпературных радиационно-технологических процессов при создании кремниевых прецизионных стабилитронов, сверхвысокочастотных и силовых диодов
99 000 UZS
Автор
Дренин, Андрей Сергеевич
Количество страниц
Год
2013
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3