Введение
Глава 1. Особенности получения эпитаксиальных слоев твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x
1.1. Широкозонные твердые растворы (SiC)i.x(AlN)x и структуры на их основе. 8
1.2 Эпитаксия (SiC)i.x(AlN)x на подложках карбида кремния. 15
1.3 Термодинамический анализ условий кристаллизации твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x. 26
Глава 2. Структура и морфология твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x . 36
2.1. Влияние условий кристаллизации на морфологию эпитаксиальных слоев твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x. 36
2.2. Травление карбида кремния и эпитаксиальных слоев-(8іС)і.х(АЧ)х. 49
2.3. Изучение однородности эпитаксиальных слоев (SiC)i.x(AlN)x. 61
2.4. Исследование структуры эпитаксиальных слоев (SiC)i x(AlN)x. 64
Глава 3. Электрические свойства твердых растворов (SiC)i x(AlN)x . 83
3.1. Электропроводность твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x. 83
3.2. Вольт-амперные характеристики гетероструктур n-SiC - p-(SiC)!.x(AlN)x 88
3.3. Вольт-фарадные характеристики гетероструктур. 99
Глава 4. Оптические свойства твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x 112
4.1. Экспериментальная установка и методика измерения оптических свойств твердых растворов (SiC)i x(AlN)x 112
4.2. Фото - и электролюминесценция SiC и гетероструктур на его основе. 118
4.3 Катодолюминесценция твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x 128
Заключение. 136
Литература 139
