Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN

Копьев Виктор Васильевич. Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN: автореферат дис. ... кандидата Физико-математических наук: 01.04.10 / Копьев Виктор Васильевич;[Место защиты: ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский Томский государственный университет»], 2019
Автор
Копьев Виктор Васильевич
Год
2019

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Термоэлектрические свойства и дефекты структуры кристаллов узкозонных полупроводников Pb1-хGdхTe, Pb1-xGdxS, Pb1-xCrxS1-у, Pb1-xAgxS и Pb1-xCuxS
99 000 UZS
Автор
Синицин Алексей Михайлович
Количество страниц
Год
2019
Разработка методов анализа влияния декогерентизации на качество квантовых преобразований, алгоритмов и измерений
99 000 UZS
Автор
Бантыш Борис Игоревич
Количество страниц
Год
2018
Взаимодействие водорода с дислокационными сетками сращенных пластин кремния
99 000 UZS
Автор
Лошаченко Антон Сергеевич
Количество страниц
Год
2018
Моделирование формирования микро- и наноструктур при распылении материала фокусированным ионным пучком
99 000 UZS
Автор
Румянцев Александр Владимирович
Количество страниц
Год
2018
Определение профиля концентрации основных носителей заряда в светоизлучающих и HEMT структурах с резко неоднородным легированием
99 000 UZS
Автор
Яковлев Георгий Евгеньевич
Количество страниц
Год
2018
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3