Выращивание квазиоднородных слоев AlxGa1-xAs жидкофазной эпитаксией с подпиткой кристаллическим источником

Патаридзе Зураб Гивиевич. Выращивание квазиоднородных слоев AlxGa1-xAs жидкофазной эпитаксией с подпиткой кристаллическим источником : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06.- Новочеркасск, 2003.- 163 с.: ил. РГБ ОД, 61 03-5/3910-8
Автор
Патаридзе Зураб Гивиевич
Год
2003

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Слоистые структуры на основе бактериородопсина: получение, строение и применение для элементов устройств обработки информации
99 000 UZS
Автор
Адамов Григорий Евгеньевич
Количество страниц
Год
2004
Исследование и моделирование функциональных и эксплуатационных характеристик приборов и оборудования для высокоточных температурных технологий
99 000 UZS
Автор
Тарасов Роман Юльевич
Количество страниц
Год
2003
Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероэпитаксиальных структур SiGe/Si
99 000 UZS
Автор
Русаков Демьян Николаевич
Количество страниц
Год
2003
Разработка процесса получения ВТСП пленок для устройств функциональной электроники
99 000 UZS
Автор
Рыжов Максим Вадимович
Количество страниц
Год
2003
Разработка и исследование метода высокотемпературного протонного обмена для формирования волноводных структур в кристаллах ниобата и танталата лития
99 000 UZS
Автор
Алкаев Александр Николаевич
Количество страниц
Год
2004
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3