Введение
Глава 1. Процессы когерентного рассеяния и излучения в первом борновском приближении 23
1.1. Сечение упругого рассеяния в поле совокупности атомов в первом борновском приближении 24
1.2. Излучение частицы в кристалле в первом борновском приближении 31
1.3. Классификация когерентных эффектов в излучении электронов в кристалле в первом борновском приближении 37
1.4. Тонкая структура спектра когерентного тормозного излучения 42
Выводы 48
Глава 2. Вклад второго борновского приближения в процессы упругого рассеяния и тормозного излучения электронов и позитронов во внешнем поле 50
2.1. Общие формулы для сечения рассеяния во втором борновском приближении 50
2.2. Рассеяние в поле атомной цепочки и плоскости с учетом второй борновской поправки 54
2.3. Сечение тормозного излучения во втором борновском приближении 58
2.4. Излучение электронов и позитронов в поле кристаллографической оси и плоскости во втором борновском приближении 65
Выводы 71
Глава 3. Квазиклассическое приближение в теории тормозного излучения 73
3.1. Метод классических траекторий в теории излучения ультрарелятивистских бесспиновых частиц 74
3.2. Квазиклассическая теория тормозного излучения с учетом спина электрона 80
3.3. Связь между квазиклассическим и борновским приближениями в теории тормозного излучения 86
Выводы 88
Глава 4. Влияние динамики электронов высокой энергии в кристалле на процесс некогерентного тормозного излучения 89
4.1. Моделирование некогерентного излучения быстрых электронов в кристалле 90
4.2. Процедура моделирования траектории быстрой частицы в кристалле. 94
4.3. Ориентационная зависимость интенсивности некогерентного излучения 98
4.4. Поляризация некогерентного излучения при плоскостном каналировании и надбарьерном движении электронов в кристалле 102
Выводы 107
Глава 5. Переходное излучение на неоднородных мишенях в борновском приближении 109
5.1. Спектрально-угловая плотность переходного излучения 109
5.2. Переходное излучение на диэлектрической нити и системе нитей 114
5.3. Переходное излучение на нитевидной мишени конечной толщины 122
5.4. Переходное излучение на атомной плоскости в кристалле 129
5.5. Переходное излучение на полостях в однородной среде 134
5.6. Связь между переходным и параметрическим (резонансным) излучением быстрой частицы в кристалле 140
Выводы 144
Глава 6. Эйкональное приближение в теории переходного излучения 145
6.1. Спектрально-угловая плотность переходного излучения в эйкональном приближении 145
6.2. Переходное излучение в тонком слое вещества 150
6.3. Сравнение интенсивностей переходного и тормозного излучения 153
6.4. Переходное излучение на нитевидной мишени в эйкональном приближении 157
Выводы 162
Глава 7. Интерференционные эффекты в ионизационных потерях энергии быстрых частиц в веществе 165
7.1. Эффект Чудакова и ионизационные потери энергии быстрых молекул в веществе 166
7.2. Ионизационные потери энергии заряженной частицы вблизи точки ее образования 172
7.3. Влияние диэлектрических свойств среды на ионизационные потери энергии частицы вблизи точки ее образования 179
Выводы 181
Заключение 184
Литература 187
