Введение
Глава 1. Электромагнитные солитоны в полупроводниковых сверхрешётках 7
1.1. Свойства полупроводниковых сверхрешёток 7
1.2. Уравнение электромагнитной волны, распространяющейся в полупроводниковой сверхрешётке 10
1.3. Электромагнитные солитоны в сверхрешётке 14
1.4. Затухание солитона в полупроводниковой сверхрешетке 17
1.5. Энергетический анализ процесса распространения солитона в полупроводниковой сверхрешётке 19
1.6. Движение солитона во внешнем электрическом поле 21
1.7. Взаимодействие солитонов в полупроводниковой сверхрешётке 23
1.8. Прохождение одиночным солитоном поперечного слоя неоднородности сверхрешётки 24
Глава 2. Исследование возможности создания солитонных запоминающих устройств 30
2.1. Типы существующих устройств памяти 30
2.2. Конструкция и принцип действия ячейки солитонной памяти 32
2.3. Методика моделирования работы ячеек 33
2.4. Локализация солитона в ячейке 39
2.5. Извлечение солитона из ячейки 49
2.6. Расчёт управляющих токов 53
2.7. Конструкция солитошюго устройства памяти 55
2.8. Выводы 56
Глава 3. Солитонная линия задержки на основе полупроводниковой сверхрешётки 57
3.1. Солитонные линии связи 57
3.2. Назначение линий задержки 58
3.3. Конструкция солитонной линии задержки 59
3.4. Период колебаний солитона в ячейке 60
3.5. Продолжительность задержки солитонов 67
3.6. Прохождение солитона через набор близкорасположенных поперечных слоев неоднородности 68
3.7. Распространение солитонов в многозвенных RLC-цепях 71
3.8. Выводы 73
Глава 4. Взаимодействие электромагнитных солитонов в окрестности поперечного слоя с повышенной концентрацией носителей заряда 74
4.1. Столкновение солитонов вблизи слоя неоднородности 74
4.2. Критическое значение параметра неоднородности 86
4.3. Выводы 89
Заключение 91
Список литературы 93
