Введение
ГЛАВА 1. Экситоны в чистых и примесных ЩГК 12
1.1. Автолокализованные экситоны в чистых ЩГК 12
1.2. Дырочные центры в ЩГК с гомологическими примесями 17
1.2.1. Гетероядерные Уь-центры и Ук-центры, связанные с дефектами решетки 18
1.2.2. Н- Нл- Нв - центры 22
1.3. Локализованные экситоны в ЩГК с катионными гомологическими примесями 26
1.4. Локализованные экситоны в ЩГК с анионными гомологическими примесями 28
1.4.1. Поглощение локализованными экситонами 28
1.4.2. Излучение локализованных экситонов в KCI.T..: 31
1.4.3. Излучение локализованных экситонов вКС1:Вг 35
1.5. Взаимодействие электронных возбуждений с мономерами тяжелой анионной гомологической примеси в ЩГК 37
1.6. Причины локализации электронных возбуждений в дефектной области кристалла 39
ГЛАВА 2. Эксперименнтальнъте методы исследований, использованные в работе 43
2.1. Образцы для исследований 43
2.2. Импульсный оптический спектрометр 44
2.3. Методика проведения эксперимента 45
2.4. Градуировка измерительного тракта спектрометра 48
2.5. Обработка результатов исследований 52
ГЛАВА 3. Взаимодействие первичных дефектов с локальными деформациями решетки в модельных системах 59
3.1. Импульсная катодолюминесценция кристаллов КС1Т и КС1:Вг 60
3.2. Экситоны, локализованные около димеров примеси 66
3.2.1. Околодимерные экситоны в КС1 :Вг 67
3.2.2. Околодимерные экситоны в КС1:1 70
ВЫВОДЫ 78
ГЛАВА 4. Взаимодействие первичных радиационных дефектов с дорадиационными в кристаллах MGF2H природных объектах 79
4.1. Преобразования накопленных дефектов при взаимодействии с первичными в кристалле MgF2 80
4.2. Импульсная катодолюминесценция кристалла MgF2 93
4.3. Взаимодействие первичных радиационных дефектов с дефектами в природных кристаллах 107
Выводы 112
Заключение 114
Литература
