Введение
ГЛАВА I Аналитический обзор литературы 11
1.1. Основные тенденции развития автомобильной электроники 11
1.2. Характеристика датчиков на основе гальваномагнитных эффектов 14
1.3. Надежность датчиков Холла 19
1.4. Определение механических напряжений в чувствительных элементах полупроводниковых структур 23
1.5. Энергетический спектр носителей заряда в деформированных полупроводниковых структурах 27
1.6. Механизмы влияния механических напряжений на чувствительные элементы полупроводниковых структур 29
1.7. Методы исследования электрофизических параметров полупроводников и их структурных дефектов 32
Выводы по главе 1 и постановка задач исследования 37
ГЛАВА 2. Математическая модель зависимости электрофизических параметров чувствительных элементов от уровня меха нических напряжений 38
2.1. Постановка задачи 38
2.2. Алгоритм расчета внутренних механических напряжений 42
2.3. Методика определения корреляции между электрофизическими и механическими свойст вами полупроводниковых элементов 52
Выводы по главе 2 62
ГЛАВА 3. Исследование механизмов и причин деградации полупроводниковых элементов 64
3.1. Изучение микроструктуры чувствительных элементов металлографическим методом 64
3.1.1. Разработка методики проведения эксперимента 64
3.1.2. Анализ полученных результатов 67
3.2. Изучение деградации свойств чувствитель
ных элементов методом микротермо-ЭДС 71
3.2.1. Разработка методики измерения микроротермо-ЭДС 73
3.2.2. Результаты измерений 76
3.2.3. Анализ полученных зависимостей 79
Выводы по главе 3 87
ГЛАВА 4. Оптимизация технологии производства датчиков с кремниевыми чувствительными элементами 89
4.1. Оптимизация процесса разделения полупроводниковых пластин на кристаллы 89
4.2. Оптимизация технологии финишной сборки датчиков Холла 91
Выводы по главе 4 91 Стр.
Основные выводы 92
Литература
