Введение
1. Взаимодействие гелия с радиационными дефектами в металлах 9
1.1. Процессы дефектообразования в металлах при облучении ионами гелия 9
1.2. Диффузия гелия в металле. Взаимодействие атомов гелия с дефектами вакансионного типа 13
1.3. Зарождение и рост гелиевых пузырьков при тем пературах менее 0,37^ 20
1.4. Накопление и реэмиссия гелия в металлах 25
1.5. Влияние облучения примесными ионами на поведение ионно-имплантированного гелия 29
2. Метод послойного анализа концентрации газов в металле 33
Заключение 56
3. Накопление и реэмиссия гелия в процессе облучения никеля ионами Не+ 58
3.1. Накопление ионно-имплантированного гелия в никеле 59
3.1.1. Кинетика накопления 1,5-9 кэВ Не* в никеле 59
3.1.2. Характерные особенности накопления гелия в никеле 70
3.2. Изотопный обмен при последовательном облучении никеля ионами 79
Выводы 92
4. Влияние облучения ионами водорода на поведение ионно-индуцированного гелия в никеле 93
4.1. Кинетика накопления дейтерия в никеле 95
4.2. Выделение гелия при облучении системы никель-гелий ионами водорода 105
4.2.1. Кинетика выделения гелия при облучении систем никель-гелий ионами водорода 106
4.2.2. Модель реэмиссии гелия 110
4.3. Накопление гелия в никеле в условиях одновременного облучения ионами гелия и водорода 124
Выводы 131
5. Выделение гелия при окислении системы железо-гелий 133
5.1. Выделение ионно-имплантированного гелия в процессе окисления оС -железа 134
5.2. Кинетика окисления системы железо-гелий 139
5.3. Механизм выделения гелия из окисляющихся слоев железа 146
Выводы 148
Заключение 149
