Закономерности образования, структура и лазерные свойства центров окраски в активированных фторидных кристаллах

Хулугуров Виталий Михайлович. Закономерности образования, структура и лазерные свойства центров окраски в активированных фторидных кристаллах : Дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 : Иркутск, 2003 305 c. РГБ ОД, 71:04-1/139
Автор
Хулугуров Виталий Михайлович
Год
2003
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
ГЛАВА 1 Синтез кристаллов, их характеристики, методы и аппаратура исследований 26
1.1 Методы синтеза кристаллов LiF, активированных ионами гидроксила... 26
1.2. Облучение кристаллов 31
1.3. Оптические методы 32
1.4. Метод токов термостимулированной деполяричации 34
ГЛАВА 2 Кислородсодержащие дефекты в ЩГК 36
2.1. Молекулярные ионы ОН" в ЩГК и их преобразования иод действием ионизирующей радиации 36
2.2. Молекулярные ионы Оз" в ЩГК и условия их образования 40
2.3. Молекулы О? и 02* в ЩГК 42
2.4. Примесь кислорода в щелочно - земельных фторидах „.47
2.5. Аїрегатьі кислородных молекул во фторидах лития и натрия 51
2.6. Изучение кислородных примесей в кристаллах LLP методом ядерной спин - решеточной релаксации 58
2.7. Молекулярный кислород в облученных кристаллах фторидов ГЛ и Nac кислородсодержащими примесями 61
2.8. Водородная связь в ЩГК с гидроксилом . 65
2.9. Радиациончо - наведенные оксиги дриль ные комплексы в кристаллах LiF:OH,Mg 6S
2.10. Радиациошю - химические преобразования гидроксила в LiF и NaF 72
2.11. Термохимические преобразования молекулярных центров с водородной связью и центров окраски в кристаллах LiT;QH И LiF:OH,Mg 75
2.12. Инфракрасные колебательные спектры радиационно - наведенного поглощения кристаллов NaF :ОН 78
2.13. Заключение к главе 2 82
ГЛАВА 3 Роль ионов oft в модификации свойств f/ - центров окраски в кристаллах щелочных фторидов 83
3.1. Введение. F2+ -подобные центры в кристаллах LiF:OH и NaF:OH 83
3.2. F2+ - подобные и сопутствующие дефекты в кристаллах LiF и NaF, зависимость от концентрации ОН" - ионов ..,..85
3.2.1. Кристаллы LiFrOH" 85
3.2.2. Кристаллы NaF и NaF:OH" 91
3.3. Сопоставление данных, полученных методом оптической спектроскопии и методом токов ТСД 93
3.3.1. Детали экспериментов по методу токов ТСД 93
3.3.2. Результаты ТСД измерений 95
3.3.4. Пики токов ТСД в области 10 -70Квкристаллах!ЛР:ОН"и LiF:Mg2+,OH" 99
3.3.5. Пики токов ТСД в кристаллах LiF:OtT в области 70- 150 К 102
3.3.6. Пики токов ТСД в кристаллах LiF:Mg2+ и LiF:Mg2+3OH" в области 150 -250 К 103
3J.7. Пики токов ТСД в LIF:OFTB области 225-325 К 104
3.3.8. Диполи О2"-Va+ в кислородсодержащих кристаллах LiF 105
3.3.9. F2+ - подобные лазерно -активные центры окраски BLiF:OH~ 106
3.3.10. Пики токов ТСД в кристаллах NaF 109
3.3.11. Заключение к главе 3 110
ГЛАВА 4 Лазерно - активные f - агрегатные центры окра ски в монокристаллах lif и naf, активированных двух валентными катионными примесями 112
4.1. Введение 112
4.2. F2+Mg2+Vc"-центры в кристаллах LIF:Mg 115
4.2.1. Теоретические оценки энергии связи в F2*Mg2+Vc- комплексе 117
4.2.2. Механизм образования F2* - и F2+Mg ^V,-"-центров в LiF:Mg 119
4.3. F2 - агрегатные центры, стабилизированные катионными вакансиями в кристаллах LiF :Me2+sOH~ 121
4.4. F2+ - центры в кристаллах LiF, легированных двухвалентными примесями Co2\Ni2^Be^ 126
4.5. F3 Mg2+Vc" центры в кристаллах LiF-Mg 127
4.6. LiF с примесями Sr иСа 132
4.7. Сопоставление ТСД и оптических измерений „140
4.8. Механизм образования F2+Me2+Vc*- центров 147
4.9. Механизм образования и структурная модель центров окраски с 0-фононной линией 600 нм 150
4.10. Fz - HF2- подобные центры в кристаллах NaF ;Ме2+ ,..154
4.11. Заключение 161
ГЛАВА 5 Лазерные среды и генерация на центрах окраски 165
5.1. Введение 165
5.2. Генерация на термостабильных и классических F2+ - центрах в LiF при
возбуждении излучением импульсных лазеров 167
5.2.1 Накачка второй гармоникой (X = 532 нм) Nd:YAG - лазера 167
5.2.2. Накачка лазером на парах меди 170
5.2.3. Природа потерь при генерации на F2* - центрах в кристаллах LiF 172
5.3. Нестационарная активная спектроскопия лазерно - активных центров окра
ски в кристаллах фтористого лития 179
5.3.1. Метод 179
5J.2. Исследование агрегатных одноэлектронных центров окраски 179
5.3.3. Исследование Fj- и iV- центров 182
5.3.4. Фотопревращение центров окраски в кристалле LiF под действием пико-секундного излучения 184
5.4. Активные среды на основе кристаллов NaF 186
5.4.1. Особенности генерации активных сред на основе кристаллов NaF:Me + с Fj+- подобными центрами 186
5.4.2, Перестраиваемая в диапазоне 1100 - 1340 нм генерация на кристаллах NaF с центрами окраски 192
5.5. Генерация на центрах окраски в лазерных средах LiF и NaF при ламповой накачке. Фототермические свойства центров 196
5.5.1. Преобразование F, F2^>F2+ 196
5.5.2. Ламповая накачка термостабильных F2* -ЦОв LiF и NaF 199
5.6. Причины деградации генерации , 201
5.7.Генерация ультракоротких импульсов света на стабилизированных F/центрах окраски в кристалле LiF при синхронной накачке рубиновым лазером 203
5.8. Генерация на F/Mg2+Vc" - и F2+ - центрах окраски в LiF, перестраиваемая в спектральной области 750- НООнм 206
5.9. Генерация на i^Mg Vc" - центрах окраски в LiF в спектральной области 640 -720нм 207
5.10. Перестраиваемый лазер на /7-центрах окраски с распределенной обратной связью 209
5.11. Заключение 211
ГЛАВА 6 Нелинейные насыщающиеся фильтры на основе щелочно-галоидных кристаллов с центрами окраски 215
6.1. Введение 215
6.2. Модуляция добротности резонаторов импульсных неодимовых и рубинового лазеров 217
6.3. Модуляция добротности лазера с непрерывной накачкой ...225
6.4. Неактивные потери в кристаллах LiF\F2 за счет рассеяния ...226
6.5. Самосинхронизация мод в Nd:YAG - лазерах и лазерах на рубине при использовании в качестве насыщающихся фильтров щелочно - галоидных кристаллов с центрами окраски ..230
6.6. Заключение 233
ГЛАВА 7 Преобразование энергии накачки в оптически связанных системах с нелинейными и электронно - колебательными генерирующими средами 235
7.1. Вынужденное комбинационное рассеяние 235
7.1.1. Спектральные характеристики 239
7.1.1.1. Система Ва(Ж)з)2 -LiF:F2. Стоксова область 240
7.1.1.2. Система Ba(N03)2 - LiF:F2. Антистоксова область ...242
7.1.1.3. Система бензол -LiF :/7 243
7.1.1.4. Система бензол - оксазин 246
7.1.1.5. Усиление ВКР в стоксовои области F2+ - центрами окраски в кристалле LiF .246
7.1.2. Обсуждение результатов 251
7.1.3. Энергетические характеристики 256
7.1.3.1 Однопроходовое усиление ВКР широкополосными средами 256
7.1.3.2. Внутрирезонаторное ВКР с усилением излучения широкополосными электронно - колебательными средами 259
7.2. Параметрическая генерация 263
7.2.1. LiNb03-LiF:F/- система 266
7.2.2. LiNb03-LiF:F2-система 268
7.2.3. Обсуждение результатов 270
Заключение 272
Литература 275

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Пацева Юлия Владимировна
Количество страниц
Год
2005
99 000 UZS
Автор
Чередниченко Александр Иванович
Количество страниц
Год
2003
99 000 UZS
Автор
Чуенков Василий Андреевич
Количество страниц
Год
2003
99 000 UZS
Автор
Чернов Иван Ильич
Количество страниц
Год
2003
99 000 UZS
Автор
Чумак Вера Васильевна
Количество страниц
Год
2003
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3