Введение
Глава 1. Зарядовые процессы в МДП-структурах и приборах на их основе в условиях радиационных излучений и сильнополевой инжекции заряда в подзатворный диэлектрик 11
1.1. Зарядовые процессы в кремниевых МДП-структурах и приборах на их основе в условиях радиационных воздействий 11
1.2. Зарядовые процессы в МДП-структурах в условиях сильнополевой инжекции заряда в подзатворный диэлектрик 22
1.3. Сенсоры радиационных излучений на основе МДП-структур 29
1.4. Методы исследования МДП-структур при воздействии ионизирующих излучений и сильнополевой инжекции заряда 37
Выводы по Главе 1 44
Глава 2. Методы исследования зарядовых процессов в МДП-структурах при радиационных облучениях и сильнополевой инжекции заряда в диэлектрик 47
2.1. Метод управляемой токовой нагрузки для контроля зарядовых характеристик МДП-структур при инжекционных и радиационных воздействиях 47
2.2. Метод контроля качества диэлектрических слоев МДП-структур после радиационных воздействий 54
2.3. Инжекционный метод исследования диэлектрических пленок МДП-структур при стрессовых и измерительных режимах 58
2.4. Экспериментальные установки, применяемые для исследования ионизационных процессов в МДП-структурах при радиационных и сильнополевых воздействиях 66
Выводы по Главе 2 70
Глава 3. Исследование и моделирование зарядовых процессов в МДП структурах при радиационных и сильнополевых инжекционных воздействиях 72
3.1. Процессы радиационной ионизации в диэлектрических пленках МДП-структур в сильных электрических полях 72
3.2. Моделирование изменения зарядового состояния МДП-структур в режиме сильнополевой инжекции при воздействии ионизирующих излучений 81
3.3. Учет плотности поверхностных состояний при контроле ионизирующих излучений сенсорами на основе МДП-структур 87
3.4. Моделирование процессов изменения зарядового состояния МДП-структур при радиационных воздействиях в условиях протекания постоянного инжекционного тока 91
Выводы по Главе 3 96
Глава 4. Разработка чувствительного элемента сенсора радиационных излучений и апробация предложенных методов контроля зарядовых процессов в МДП-структурах при сильнополевых и ионизирующих воздействиях 98
4.1. Конструкция активного чувствительного элемента сенсора радиационных излучений на основе МДП-структур 98
4.2. Технология изготовления активного чувствительного элемента сенсора радиационных излучений на основе МДП-структур 101
4.3. Контроль радиационных излучений с использованием активного чувствительного элемента сенсора радиационных излучений на основе МДП-структур 105
4.4. Корректировка технологических режимов формирования подзатворно-го диэлектрика ДМДП-транзисторов 110
Выводы по Главе 4 115
Основные выводы и заключение 117
Список литературы 119
Приложение 131
